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申请/专利权人：深圳市知音科技有限公司
申请日：2024-03-11
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156161A
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明的实施例提供了一种芯片封装方法及芯片封装结构，涉及集成电路封装领域。提供一QFN引线框架，基岛及第一管脚形成预设的高度差。将晶粒、无源器件嵌入至该引线框架的基岛上，并设置第一塑封层，在晶粒功能面所处的表面RDL，实现晶粒和无源器件的管脚与第一管脚的连接。本发明将QFN引线框架与扇出封装技术结合，实现了多器件SIP型QFN芯片封装。本发明制备的封装芯片继承了QFN散热功能，基于扇出封装的先进性，产热减少，并提供一种封装体的顶部散热设计，散热功能更加强大。晶粒等嵌在引线框架中，且封装结构中各RDL、塑封层都容易控制厚度，本发明制备的QFN芯片能降低整体厚度。
主权项：1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括以下步骤：提供一QFN引线框架；其中，所述QFN引线框架包括基岛和多个第一管脚；所述第一管脚环绕设置在所述基岛的侧面；所述基岛与所述第一管脚具有预设高度差；将至少一晶粒嵌入所述QFN引线框架，所述晶粒的背面与所述基岛的第一表面接触；其中，所述晶粒与所述基岛贴合后形成基岛结构，所述基岛结构与所述第一管脚的垂直高度齐平；在所述QFN引线框架上制备第一塑封层；其中，所述第一塑封层填充所述基岛结构与所述第一管脚间的间隙，并露出所述第一管脚的第一表面、所述晶粒的第二管脚；在晶粒功能面所处的表面制备至少一RDL层；其中，所述晶粒的第二管脚和所述第一管脚的第一表面通过所述RDL层连接；所述晶粒功能面为所述晶粒上设置第二管脚的面；在所述RDL层上制备第二塑封层，得到板级封装体；所述第二塑封层覆盖所述RDL层、所述晶粒功能面以及所述第一管脚的第一表面；沿切割道切割所述板级封装体，分离出至少一芯片粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市知音科技有限公司 一种芯片封装方法及芯片封装结构
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