申请/专利权人：浙江赛威科光电科技有限公司

申请日：2020-10-14

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN112103168B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;C23C14/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开

摘要：一种原位蒸镀的弱等离子刻蚀设备，包括刻蚀腔体、弱等离子放射机构、真空机构、冷阱机构、样品托以及驱动机构，刻蚀腔体连接在拉曼光谱检测蒸发室下方，样品托位于刻蚀腔体内，驱动机构驱动样品托在竖直方向上运动以使样品托靠近或远离拉曼光谱检测蒸发室，弱等离子放射机构包括导轨、射频罩、石英玻璃管以及放气电磁阀组件，石英玻璃管两端均设有支架，射频罩内包括有缠绕在石英玻璃管上的射频绕线以及支撑射频绕线的支撑板，放气电磁阀组件连接在石英玻璃管一端，放气电磁阀组件与石英玻璃管以及刻蚀腔体均相通且构成一个放射通道，放气电磁阀组件用于将工艺气体通入石英玻璃管内；本发明优点在于能够控制刻蚀速度实现原子层厚度。

主权项：1.一种原位蒸镀的弱等离子刻蚀设备，其特征在于：包括刻蚀腔体1、弱等离子放射机构2、真空机构、冷阱机构4、样品托5以及驱动机构6，所述刻蚀腔体1连接在拉曼光谱检测蒸发室下方，所述刻蚀腔体1外表面上设有腔门8，所述弱等离子放射机构2、真空机构以及冷阱机构4均与刻蚀腔体1相通，所述真空机构和冷阱机构4均用于将刻蚀腔体1内进行真空，所述样品托5位于刻蚀腔体1内，所述样品托5上搭载有靶材，所述驱动机构6位于刻蚀腔体1的下方，所述驱动机构6驱动所述样品托5在竖直方向上运动以使所述样品托5靠近或远离拉曼光谱检测蒸发室，所述弱等离子放射机构2包括导轨21、射频罩24、石英玻璃管22以及放气电磁阀组件23，所述导轨21设置在机架上，所述石英玻璃管22两端均设有支架25，所述石英玻璃管22通过两组支架25水平位于导轨21上方，所述射频罩24套设在石英玻璃管22上，所述射频罩24滑动连接在滑轨上，所述射频罩24内包括有缠绕在石英玻璃管22上的射频绕线241以及支撑射频绕线241的支撑板242，所述放气电磁阀组件23连接在石英玻璃管22一端，所述放气电磁阀组件23与石英玻璃管22以及刻蚀腔体1均相通且构成一个放射通道，所述放气电磁阀组件23用于将工艺气体通入石英玻璃管22内，所述石英玻璃管22与刻蚀腔体1之间设有第一插板阀7。

全文数据：

权利要求：

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