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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2019-09-04
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197895A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;B08B7/00
优先权：["20181025 JP 2018-200988"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：示例性实施方式所涉及的清洗方法中，在等离子体处理装置的腔室内，由清洗气体形成等离子体。聚焦环以绕腔室的中心轴线延伸的方式在腔室内搭载于基板支承座上。在等离子体的形成中，通过电磁铁在腔室内形成磁场分布。磁场分布相对于中心轴线，在径向上的聚焦环上的位置或比聚焦环更靠外侧的位置具有最大水平成分。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其具备：腔室；基板支承座，设置于所述腔室内；上部电极，设置于所述基板支承座的上方；电磁铁，构成为在所述腔室内形成磁场的分布；接地导体，在所述腔室的上方以覆盖所述上部电极的方式延伸，提供在其中配置有所述电磁铁的外部空间；聚焦环，以绕所述腔室的中心轴线延伸的方式搭载于所述基板支承座上；气体供给部，构成为向所述腔室内供给清洗气体；高频电源，构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而产生高频电力；驱动电源，与所述电磁铁电连接；及控制部，构成为控制所述气体供给部、所述高频电源及所述驱动电源，所述电磁铁具有设置在所述腔室的上方的线圈，该线圈绕所述中心轴线沿周向延伸，所述线圈的内径大于所述聚焦环的内径，小于所述聚焦环的外径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 清洗方法及等离子体处理装置
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