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申请/专利权人：久耀电子科技(江苏)有限公司
申请日：2022-05-17
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN115028780B
主分类号：C08F283/12
分类号：C08F283/12;C08F212/32;C08F232/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.09#公开
摘要：本发明涉及化工领域，公开了一种低介电POSS改性氰酸酯树脂杂化材料的制备方法，具体而言，将双键功能化的POSS与合成的不饱和氰酸酯单体按照一定比例溶解在适当的溶剂中，并向其中加入高温自由基引发剂，真空脱泡后浇注到预热的模具中固化，得到POSS改性氰酸酯树脂杂化材料。通过本发明制备的杂化材料具有低的介电常数和优异的热和尺寸稳定性，可用于高频高速覆铜板领域。
主权项：1.一种低介电POSS改性氰酸酯树脂杂化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将溴化氰溶解在二氯甲烷中，并将其反应温度降低至-5oC，在氮气保护下滴加不饱和双酚和催化剂三乙胺的丁酮溶液，并将温度维持在-5-0oC，反应结束后，通过水洗，酸洗，碱洗并蒸馏除去有机溶剂，得不饱和氰酸酯单体；S2：取上述制备的不饱和氰酸酯单体和八乙烯基POSS混合溶解在DMF中，再向其中加入高温自由基引发剂，搅拌均匀后置于真空烘箱中脱气，得到均匀的树脂前驱体溶液；S3：将上述树脂前驱体溶液浇铸于模具中，放置在170~190℃的烘箱中引发自由基聚合固化30~120min，得到低介电POSS改性氰酸酯树脂杂化材料；S1中反应过程如下： ；S1中所述不饱和氰酸酯单体结构式为以下任意一种：单体A：；单体B：；单体C：。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 久耀电子科技(江苏)有限公司 低介电POSS改性氰酸酯树脂杂化材料的制备方法
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