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【发明授权】一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器_湖南脉探芯半导体科技有限公司_202010718308.5 

申请/专利权人:湖南脉探芯半导体科技有限公司

申请日:2020-07-23

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN111863847B

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2022.02.01#专利申请权的转移;2020.11.17#实质审查的生效;2020.10.30#公开

摘要:本发明公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器,梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体,硅基体顶面生成有二氧化硅层,二氧化硅层内刻蚀有P+阴极,硅基体的底面刻蚀有n+阳极;P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成,第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成,两者的L型阴极相距一定距离相对设置,两者的多个条型阴极相互平行交叉设置,且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接,其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨,分辨率高、工艺简单。

主权项:1.一种梳状硅像素探测单元,其特征在于,包括硅基体(5),硅基体(5)顶面生成有二氧化硅层(6),二氧化硅层(6)内刻蚀有P+阴极,硅基体(5)的底面刻蚀有n+阳极(4);所述P+阴极由第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)组成,第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)相对交叉设置;所述第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)均由一个L型阴极(7)以及位于L型阴极(7)内部并与其连接的多个条型阴极(8)组成,第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)的L型阴极(7)相距一定距离相对设置,第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)的多个条型阴极(8)相互平行交叉设置;每个所述L型阴极(7)内的多个条型阴极(8)相隔一定间隙平行设置并朝向L型阴极(7)的开口处倾斜,且多个条型阴极(8)以与其连接的L型阴极(7)的角平分线为对称轴对称设置;所述第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)的多个条型阴极(8)的长度均从与其连接的L型阴极(7)的内部中心向两侧依次递减,所有条型阴极(8)的宽度相等,且L型阴极(7)和条型阴极(8)的宽度相等,条型阴极(8)的宽度大于相邻两条型阴极(8)的间隙宽度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 湖南脉探芯半导体科技有限公司 一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器

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