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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2021-01-06
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112820640B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/3213
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.06.04#实质审查的生效;2021.05.18#公开
摘要：本发明公开了一种多晶硅的刻蚀方法，针对两部分区域之间具有台阶的多晶硅刻蚀，所述两部分区域包含高压氧化层区域以及多晶硅栅极区域；两部分区域进行多晶硅同步刻蚀时，先通过第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，然后再通过两次多晶硅刻蚀将高压氧化层区域及多晶硅栅极区域的多晶硅形貌刻蚀到设计状态。
主权项：1.一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：所述的多晶硅刻蚀针对两部分区域之间具有台阶的多晶硅刻蚀，所述两部分区域包含高压氧化层区域以及多晶硅栅极区域；两部分区域进行多晶硅同步刻蚀时，先通过第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，然后再通过两次多晶硅辅助刻蚀将高压氧化层区域及多晶硅栅极区域的多晶硅形貌刻蚀到设计状态；所述过渡形貌是将多晶硅层刻蚀掉一部分，使高压氧化层区域的栅氧化层上以及多晶硅栅极区域的栅氧化层上仍保留有多晶硅；所述的第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，刻蚀采用干法刻蚀，刻蚀气体压强6～10mt，刻蚀源功率：500～700W，偏置功率80W，刻蚀气体为HBr、Cl2、CF4以及O2；所述的两次多晶硅辅助刻蚀，其中第一次多晶硅辅助刻蚀，刻蚀气体压强6～10mt，源刻蚀功率：300～400W，偏置功率35W，刻蚀气体为HBr、He以及O2；第二次多晶硅辅助刻蚀，刻蚀气体压强40～60mt，刻蚀源功率：400～600W，偏置功率60W，刻蚀气体HBr、He以及O2；所述的两次多晶硅辅助刻蚀，第一次辅助刻蚀完成后使多晶硅栅极区域的多晶硅栅极两侧残留少量多晶硅，同时，高压氧化层区域的高压氧化层台阶下同步残留有多晶硅；进行第二次辅助刻蚀时，通过修饰性的精细刻蚀，将多晶硅栅极两侧残留的多晶硅以及高压氧化层区域的高压氧化层台阶下残留的多晶硅完全去除，此时多晶硅栅极具有完整形貌，高压氧化层区域的高压氧化层台阶下也无多晶硅残留。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 多晶硅的刻蚀方法
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