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申请/专利权人：胜高股份有限公司
申请日：2014-09-02
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN111508819B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/06;C30B33/06;H01L21/18;H01L21/223;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/324
优先权：["20130904 JP 2013-183149"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开
摘要：本发明目的在于提供一种具有吸杂能力的硅晶片，并且提供使用该硅晶片制作外延晶片或键合晶片时不发生电阻波动的硅晶片的制造方法。本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，从硅晶片的正面以1.0×1013~3.0×1016atomscm2的剂量注入氢离子，形成上述氢离子固溶而成的吸杂层。
主权项：1.外延晶片的制造方法，其特征在于，从硅晶片的正面以1.0×1013～3.0×1016atomscm2的剂量注入氢离子，形成所述氢离子固溶而成的氢离子注入区域，接着在所述硅晶片的所述正面上在1000～1200℃的生长温度下形成外延层，同时所述氢离子注入区域中的氢解离而向外扩散至甚至使氢浓度分布为7×1017atomscm3以下，形成氢离子注入区域中残存的空位。
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皖公网安备 34010402703815号