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申请/专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日：2023-09-26
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN117310873B
主分类号：G02B6/12
分类号：G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开
摘要：本发明涉及硅基光电异质集成技术领域，具体公开了一种硅基片上异质集成III‑V族有源器件及其制备方法，包括：硅片基底；硅波导，形成在硅片基底上；III‑V族有源器件，朝向硅片基底的表面形成凹槽结构，以容纳硅波导，凹槽结构的宽度不小于硅波导的宽度，深度不小于目标深度；薄膜覆盖层，形成在硅片基底上，其厚度全部覆盖硅波导且至少部分覆盖所述III‑V族有源器件；第一金属电极，一端与凹槽结构的端面接触，另一端延伸至薄膜覆盖层表面；第二金属电极，位于III‑V族有源器件背离硅片基底的表面。本发明提供的硅基片上异质集成III‑V族有源器件能够提高III‑V族有源器件与硅波导的耦合效率且工艺难度低。
主权项：1.一种硅基片上异质集成III-V族有源器件，其特征在于，包括：硅片基底；硅波导，形成在所述硅片基底上；III-V族有源器件，位于所述硅波导上，朝向所述硅片基底的表面的方向形成凹槽结构，以容纳所述硅波导，所述凹槽结构的宽度不小于所述硅波导的宽度，所述凹槽结构的深度不小于目标深度；薄膜覆盖层，形成在所述硅片基底上，且所述薄膜覆盖层的厚度全部覆盖所述硅波导且至少部分覆盖所述III-V族有源器件；第一金属电极，位于所述硅片基底上，至少部分第一金属电极与所述凹槽结构的端面接触；第二金属电极，位于所述III-V族有源器件背离所述硅片基底的表面；当所述凹槽结构的深度小于所述硅波导的高度时，所述凹槽结构的深度与所述硅波导的电场强度之间呈正相关；当所述凹槽结构的深度大于所述硅波导的高度时，所述硅波导的电场强度在第一范围内波动；当所述凹槽结构的深度与所述硅波导的高度相同时，所述硅波导的电场强度最大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡芯光互连技术研究院有限公司 硅基片上异质集成III-V族有源器件及其制备方法
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