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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于能量吸收层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述能量吸收层全部或部分区域为F离子注入区，通过F离子注入以调控阈值电压。本发明在栅下区域设置了F离子注入区并作为能量吸收层，有效地减少了离子注入过程中的损伤，达到提升HEMT器件性能的目的；通过控制离子注入条件调控HEMT器件阈值电压，实现较高的阈值电压。
主权项：1.一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于能量吸收层上且位于源极和漏极之间的栅极，能量吸收层位于栅下区域，半导体层位于非栅下区域，所述沟道层、势垒层及半导体层均为Ⅲ族氮化物半导体层，所述能量吸收层全部或部分区域为F离子注入区，通过F离子注入以调控阈值电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法
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