申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-05-11

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN113394214B

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：本发明公开了一种半导体器件的集成制造方法，形成m种厚度的第一类金属功函数层的步骤包括：步骤一、从底部到顶部将厚度最厚的第一类金属功函数层分成第一个、第二个直至第m个第一类金属功函数子层；步骤二、进行m次循环工艺，每一次循环工艺中包括一次金属功函数全面沉积工艺和一次金属功函数选择性刻蚀工艺；循环工艺设置为：各次金属功函数全面沉积工艺依次形成第一至第m个第一类金属功函数子层；各次金属功函数选择性刻蚀工艺的刻蚀区域依次缩小以保证每次金属功函数选择性刻蚀工艺都仅对一个单独的第一类金属功函数子层进行刻蚀。本发明能避免在较厚的第一类金属功函数层的底部产生下切，从而能使金属功函数边界效应最优化。

主权项：1.一种半导体器件的集成制造方法，其特征在于，在半导体衬底上集成有m种需要形成第一类金属功函数层的半导体器件，从第一种到第m种半导体器件的第一类金属功函数层的厚度逐渐减少，形成m种厚度的第一类金属功函数层的步骤包括：步骤一、根据各种厚度的所述第一类金属功函数层的厚度差值，从底部到顶部将厚度最厚的所述第一类金属功函数层分成第一个、第二个直至第m个第一类金属功函数子层；步骤二、进行m次循环工艺，每一次循环工艺中包括一次金属功函数全面沉积工艺和一次金属功函数选择性刻蚀工艺；所述循环工艺设置为：第一次金属功函数全面沉积工艺形成第一个第一类金属功函数子层，第二次金属功函数全面沉积工艺形成第二个第一类金属功函数子层，依次类推第m次金属功函数全面沉积工艺形成第m个第一类金属功函数子层；第一次金属功函数选择性刻蚀工艺将第一种半导体器件区域外的所述第一个第一类金属功函数子层都去除以及将所述第一种半导体器件区域的所述第一个第一类金属功函数子层保留，第二次金属功函数选择性刻蚀工艺将第一种至第二种半导体器件区域外的所述第一个第一类金属功函数子层都去除以及将第一种至第二种半导体器件区域的所述第一个第一类金属功函数子层保留，依次类推第m次金属功函数选择性刻蚀工艺将第一种至第m种半导体器件区域外的所述第一个第一类金属功函数子层都去除以及将第一种至第m种半导体器件区域的所述第一个第一类金属功函数子层保留；所述半导体器件为鳍式场效应晶体管；所述半导体衬底上形成有鳍体，所述鳍体通过对所述半导体衬底进行刻蚀形成；所述半导体器件的栅极结构形成区域通过伪栅极结构定义，在形成所述第一类金属功函数层之前，包括去除所述伪栅极结构的步骤，所述伪栅极结构去除区域中的所述鳍体的表面暴露出来；在所述伪栅极结构去除区域中，步骤二中各次所述金属功函数全面沉积工艺形成的第一类金属功函数子层覆盖在所述鳍体的顶部表面和侧面；所述循环工艺设置保证每次所述金属功函数选择性刻蚀工艺都仅对一个单独的第一类金属功函数子层进行刻蚀，使各次所述金属功函数选择性刻蚀工艺的刻蚀厚度等于对应的一个第一类金属功函数子层的厚度，以保证各次所述金属功函数选择性刻蚀工艺的刻蚀厚度不会对保留区域的各所述第一类金属功函数子层的叠加层在所述鳍体的底部区域产生下切，从而使金属功函数边界效应最优化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 半导体器件的集成制造方法

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