申请/专利权人:长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日:2021-06-04
公开(公告)日:2024-06-07
公开(公告)号:CN113345487B
主分类号:G11C8/08
分类号:G11C8/08;G11C7/12;G11C29/42
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.07#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开
摘要:本发明实施例提供了一种存储器、存储器系统及存储器的制造方法。其中,所述存储器包括:第一半导体结构,所述第一半导体结构至少包括外围电路;第二半导体结构,所述第二半导体结构至少包括堆叠设置的相变存储单元阵列和阵列访问电路;内插器,所述内插器至少包括电连接的第一内插触点和第二内插触点;其中,所述第一半导体结构通过所述第一内插触点附接到所述内插器上;所述第二半导体结构通过所述第二内插触点附接到所述内插器上。
主权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:第一半导体结构,所述第一半导体结构至少包括外围电路;第二半导体结构,所述第二半导体结构至少包括堆叠设置的相变存储单元阵列和阵列访问电路;所述阵列访问电路至少包括地址线驱动器、地址线解码器及页缓冲器;内插器,所述内插器至少包括电连接的第一内插触点和第二内插触点;其中,所述第一半导体结构通过所述第一内插触点附接到所述内插器上;所述第二半导体结构通过所述第二内插触点附接到所述内插器上。
全文数据:
权利要求:
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