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【发明授权】检测器件及其检测方法_上海天马微电子有限公司_202111659394.8 

申请/专利权人:上海天马微电子有限公司

申请日:2021-12-31

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN114324538B

主分类号:G01N27/414

分类号:G01N27/414

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要:本发明公开了一种检测器件及其检测方法,属于检测技术领域,检测器件包括至少一个检测单元,检测单元包括相互电连接的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管的沟道上方设置有栅极,第四晶体管的沟道上方覆盖有离子敏感膜;还包括第一电压信号端、第二电压信号端、第三电压信号端、第一供电端、第一电位输出端、第二电位输出端、第二供电端。检测方法应用于上述检测器件对待检测溶液进行浓度检测。本发明可以实现检测器件的自校准,最终的检测结果误差小,有利于提高检测器件的检测精度和稳定性。

主权项:1.一种检测器件,其特征在于,包括:至少一个检测单元,所述检测单元包括相互电连接的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管的沟道上方设置有栅极,所述第四晶体管的沟道上方覆盖有离子敏感膜;还包括第一电压信号端、第二电压信号端、第三电压信号端;所述第一电压信号端与所述第一晶体管的栅极连接,所述第二电压信号端与所述第二晶体管的栅极连接,所述第三电压信号端与所述第三晶体管的栅极连接;所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接至第一供电端,所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极连接至第一电位输出端,所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极连接至第二电位输出端;所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极连接至第二供电端;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为顶栅晶体管;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极同层同材料设置;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极和漏极同层同材料设置;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的有源部同层同材料设置;或者,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管均为双栅晶体管;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的顶栅同层同材料设置;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的底栅同层同材料设置;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极和漏极同层同材料设置;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的有源部同层同材料设置。

全文数据:

权利要求:

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