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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2023-07-25
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN116845152B
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/14;H01L33/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2023.10.24#实质审查的生效;2023.10.03#公开
摘要：本发明提供一LED芯片制备方法及LED芯片，制备方法包括，提供一包含ITO膜层的半成品芯片，在退火炉内满足预设条件温度时将ITO膜层放入并进行渐进式升温直至达到终点温度完成退火处理，并在退火炉内渐进升温的同时对退火炉内通入氧气，使退火炉内初始气体流量进行逐步降低，对ITO膜层进行富氧处理，采用富氧化与低温连续慢升温处理手段，对ITO膜层进行富氧化处理及渐进升温方式，能够有效减少ITO膜的氧空位和晶格缺陷问题，实现了优良的透光效果，以及在表面形成良好的欧姆接触。
主权项：1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一包含ITO膜层的半成品芯片；在退火炉内满足预设条件温度时将所述ITO膜层放入并进行渐进式升温直至达到终点温度完成退火处理，所述渐进式升温条件为2℃min～6℃min；并在所述退火炉内渐进升温的同时对所述退火炉内通入氧气，使所述退火炉内初始气体流量进行逐步降低，对所述ITO膜层进行富氧处理，其中，所述退火炉内初始气体流量为240sccm～260sccm，所述气体流量以1.5sccmmin～4.5sccmmin进行逐步降低直至所述退火炉内终点温度为350℃～400℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种LED芯片制备方法及LED芯片
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