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申请/专利权人：元平台技术有限公司
申请日：2019-03-27
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112204759B
主分类号：H01L33/48
分类号：H01L33/48;H01L33/54;H10K50/85
优先权：["20180330 US 62/651,044","20180502 US 15/969,523"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.07.22#著录事项变更;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开
摘要：本文公开了具有高效率的发光二极管LED。提供了一种在半导体层内包括有源发光层的发光二极管。半导体层具有台面形状。发光二极管还包括衬底，该衬底具有半导体层位于其上的第一表面和与第一表面相反的输出耦合表面。由有源发光层产生的光入射到输出耦合表面上，并朝向输出耦合表面下游的光学元件传播。发光二极管还包括邻近输出耦合表面的第一抗反射涂层；输出耦合表面和光学元件之间的折射率匹配材料，其中折射率匹配材料的折射率大于或等于光学元件的折射率；和或邻近输出耦合表面的二次光学器件。
主权项：1.一种发光二极管，包括：半导体层内的有源发光层，其中所述半导体层具有台面形状；衬底，其包括所述半导体层位于其上的第一表面和与所述第一表面相反的输出耦合表面，其中由所述有源发光层产生的光入射到所述输出耦合表面上，并向所述输出耦合表面下游的光学元件传播；和以下中的至少一个：邻近所述输出耦合表面的第一抗反射涂层；所述输出耦合表面和所述光学元件之间的折射率匹配材料，其中所述折射率匹配材料的折射率大于或等于所述光学元件的折射率；或者邻近所述输出耦合表面的二次光学器件，其中所述发光二极管在具有第一角度90°的第一发射锥内具有50％和85％之间的第一光提取效率，并且在具有第二角度10°的第二发射锥内具有2％和6％之间的第二光提取效率。
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