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申请/专利权人：西安工程大学
申请日：2024-04-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118226585A
主分类号：G02B6/34
分类号：G02B6/34;G02B6/124;G02B6/122;G02B6/14
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了具有双层光栅结构的光栅耦合器，包括自下而上层叠设置的衬底层、底部反射层、氧化物埋氧层、第一光栅器件层、第二光栅器件层、氧化物上包层；第一光栅器件层的前端为单模波导区，单模波导区的后端紧密连接的是模场转换区，模场转换区的后端紧密连接的是亚波长光栅区，所述亚波长光栅区的后端紧密连接的是均匀光栅区，本发明的具有双层光栅结构的光栅耦合器，提高了耦合的方向性与模式匹配度，降低了损耗，同时具有较大的工作带宽，可实现光信号在硅光子子芯片与光纤之间的高效耦合。
主权项：1.具有双层光栅结构的光栅耦合器，其特征在于：包括自下而上层叠设置的衬底层6、底部反射层5、氧化物埋氧层4、第一光栅器件层3、第二光栅器件层2、氧化物上包层1；所述第一光栅器件层3的前端为单模波导区7，所述单模波导区7的后端紧密连接的是模场转换区8，所述模场转换区8的后端紧密连接的是亚波长光栅区9，所述亚波长光栅区9的后端紧密连接的是均匀光栅区10。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 具有双层光栅结构的光栅耦合器
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