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申请/专利权人：宁波大学
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118175918A
主分类号：H10N70/00
分类号：H10N70/00;H10N70/20;H10B63/10;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了一种基于锑单质的相变层、多值相变存储器及其制备方法，特点是该相变层包括四层Sb薄膜，每层Sb薄膜之间设置有SiO2介电层，从下到上第一层Sb薄膜为10nm，第二层Sb薄膜为5nm，第三层Sb薄膜为4nm，第四层Sb薄膜为3nm，SiO2介电层为5nm，该多值相变存储器包括衬底层，衬底层上设置有黏附层，黏附层上设置有绝缘层，绝缘层上设置有相变层，相变层上设置有上电极层且下端设置有单独引脚的下电极层，绝缘层内且位于相变层与黏附层之间嵌设有第一柱状加热电极，绝缘层内且位于下电极层与黏附层之间嵌设有第二柱状加热电极，优点是可实现多电阻状态跳变达到多值存储效果。
主权项：1.一种基于锑单质的相变层，其特征在于：包括四层Sb薄膜，每层所述的Sb薄膜之间设置有SiO2介电层，按从下到上顺序第一层所述的Sb薄膜的厚度为10nm，第二层所述的Sb薄膜的厚度为5nm，第三层所述的Sb薄膜的厚度为4nm，第四层所述的Sb薄膜的厚度为3nm，所述的SiO2介电层的厚度为5nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波大学 一种基于锑单质的相变层、多值相变存储器及其制备方法
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