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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日：2021-07-07
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113594200B
主分类号：H10B63/10
分类号：H10B63/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法，包括：由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层；形成贯穿第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构；其中，第一隔离结构沿第一方向延伸；形成贯穿第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；去除第一牺牲块，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第二功能层；在第二功能层上依次形成层叠设置的第三电极层和第二导电层。
主权项：1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层；形成贯穿所述第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构；其中，所述第一隔离结构沿第一方向延伸；所述第一隔离结构将所述第一导电层分割成多条互相平行的第一地址线，将所述第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层分别分割成第一电极条、第一功能条、第二电极条和第一牺牲条；形成贯穿所述第一牺牲条、第二电极条、第一功能条、第一电极条的第二隔离结构，所述第二隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第二隔离结构将所述第一牺牲条分割成第一牺牲块；去除所述第一牺牲块，形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第二功能层；在所述第二功能层上依次形成层叠设置的第三电极层和第二导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变存储器及其制作方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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