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申请/专利权人：昆明理工大学
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118166429A
主分类号：C30B29/46
分类号：C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355;G02B1/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开一种铯钇锗硫晶体材料、制备方法与应用，属于非线性光学材料技术领域。所述铯钇锗硫非线性光学晶体的化学式为CsYGeS4；所述铯钇锗硫非线性光学晶体具有非中心对称结构，属于正交晶系，为P212121空间群，其晶胞参数为a＝6.4268，b＝6.7268，c＝17.7038，α＝β＝γ＝90°。本发明通过高温熔体自发结晶法生长的铯钇锗硫非线性光学晶体易长大且透明无包裹，因此具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点。另外，与现有技术相比，本发明所获得的铯钇锗硫非线性光学晶体具有透光波段宽，硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，所述铯钇锗硫非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
主权项：1.一种铯钇锗硫非线性光学晶体，其特征在于，其化学式为CsYGeS4；所述铯钇锗硫非线性光学晶体具有非中心对称结构，属于正交晶系，为P212121空间群，其晶胞参数为a＝6.4268，b＝6.7268，c＝17.7038，α＝β＝γ＝90°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 一种铯钇锗硫晶体材料、制备方法与应用
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