申请/专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司

申请日：2016-10-21

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN107976584B

主分类号：G01R29/02

分类号：G01R29/02;G01R19/165

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2018.05.25#实质审查的生效;2018.05.01#公开

摘要：本发明公开了一种电源欠压尖峰脉冲检测电路，包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、低功耗控制子电路以及比较器，所述电压变化获取电路包括第一场效应管、与第一场效应管相连的第二场效应管、与第二场效应管相连的第三场效应管、第一电容及第二电容；所述低功耗控制子电路包括第四场效应管、与第四场效应管相连的第五场效应管、与第五场效应管相连的第六场效应管、与第六场效应管相连的第七场效应管、与第七场效应管相连的第八场效应管、第三电容及电阻；所述静态置低子电路包括第九场效应管、与第九场效应管相连的第十场效应管及与第十场效应管相连的第十一场效应管。本发明电路结构简单，实现了超低静态功耗的电源欠压尖峰脉冲的检测。

主权项：1.一种电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于：所述电源欠压尖峰脉冲检测电路包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、与所述静态置低子电路相连的低功耗控制子电路以及与所述静态置低子电路和所述低功耗控制子电路相连的比较器，所述电压变化获取子电路连接于所述比较器；所述电压变化获取子电路获取电源电压的变化，所述静态置低子电路控制当无尖峰脉冲输入时，所述比较器的输出端输出低电平信号，在有尖峰脉冲输入时，所述低功耗控制子电路控制为所述比较器提供偏置电流，并关闭静态置低子电路；所述电压变化获取子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、与所述第二场效应管相连的第三场效应管、第一电容及与所述第一电容相连的第二电容；所述低功耗控制子电路包括第四场效应管、与所述第四场效应管相连的第五场效应管、与所述第五场效应管相连的第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第四场效应管相连的第三电容及电阻；所述静态置低子电路包括第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管及与所述第十场效应管相连的第十一场效应管；第一场效应管的栅极和漏极与第二场效应管的源级相连，第二场效应管的栅极和漏极、第三场效应管的源级、第一电容的一端、第二电容的一端、第四场效应管的栅极及电阻的一端共同连接比较器的一输入端；第四场效应管的源级与电阻的另一端共同连接第三电容的一端，第四场效应管的漏极、第五场效应管的栅极和漏极、第六场效应管的栅极、第九场效应管的栅极及第十场效应管共同相连，第六场效应管的漏极与第七场效应管的栅极和漏极及第八场效应管的栅极相连，第八场效应管的漏极与比较器的偏置电流输入端相连；第九场效应管的漏极与第十场效应管的漏极及第十一场效应管的栅极相连，第十一场效应管的漏极与比较器的输出端相连；第一场效应管的源级、第一电容的另一端、第七场效应管的源级、第八场效应管的源级及第九场效应管的源级共同连接电源端，第三场效应管的栅极和漏极、第二电容的另一端、第三电容的另一端、第五场效应管的源级、第六场效应管的源级、第十场效应管的源级、第十一场效应管的源级及比较器的另一输入端和接地端共同接地；所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管为P型场效应管，所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第十场效应管、所述第十一场效应管为N型场效应管。

全文数据：电源欠压尖峰脉冲检测电路技术领域[0001]本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种超低功耗的电源欠压尖峰脉冲检测电路。背景技术[0002]随着电子设备的不断发展，电磁干扰现象越来越明显。许多精密的电子设备，会偶尔出现误码、死机、甚至烧毁的情况，大多数时候，出现上述情况都是由于电源欠压尖峰脉冲干扰引起的。[0003]为了对电源上出现的尖峰脉冲进行及时的应对，就需要一个检测尖峰脉冲的电路。尖峰脉冲检测电路通常是由电压变化获取电路和电压比较器组成。电压比较器的工作需要一个偏置电流，为了及时响应，电压比较器必须一直处于工作状态。因此会存在比较大的静态功耗，为了减少静态功耗，可以减少电压比较器的工作时间，但这样就存在不能及时响应电源欠压尖峰脉冲的风险。发明内容[0004]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种超低功耗的电源欠压尖峰脉冲检测电路。[0005]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种电源欠压尖峰脉冲检测电路，包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、与所述静态置低子电路相连的低功耗控制子电路以及与所述静态置低子电路和所述低功耗控制子电路相连的比较器，所述电压变化获取子电路获取电源电压的变化，所述静态置低子电路控制当无尖峰脉冲输入时，所述电源欠压尖峰脉冲检测电路的输出端输出低电平信号，所述低功耗控制子电路控制在有尖峰脉冲输入时为所述比较器提供偏置电流，所述电压变化获取电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、与所述第二场效应管相连的第三场效应管、第一电容及与所述第一电容相连的第二电容;所述低功耗控制子电路包括第四场效应管、与所述第四场效应管相连的第五场效应管、与所述第五场效应管相连的第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第四场效应管相连的第三电容及电阻;所述静态置低子电路包括第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管及与所述第十场效应管相连的第十一场效应管。[0006]所述第一场效应管的栅极和漏极与所述第二场效应管的源级相连，所述第二场效应管的栅极和漏极、所述第三场效应管的源级、所述第一电容的一端、所述第二电容的一端、所述第四场效应管的栅极及所述电阻的一端共同连接所述比较器的一输入端。[0007]所述第四场效应管的源级与所述电阻的另一端共同连接所述第三电容的一端，所述第四场效应管的漏极、所述第五场效应管的栅极和漏极、所述第六场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管共同相连，所述第六场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极和漏极及所述第八场效应管的栅极相连，所述第八场效应管的漏极与所述比较器的偏置电流输入端相连。[0008]所述第九场效应管的漏极与所述第十场效应管的漏极及所述第十一场效应管的栅极相连，所述第十一场效应管的漏极与所述比较器的输出端相连。[0009]所述第一场效应管的源级、所述第一电容的另一端、所述第七场效应管的源级、所述第八场效应管的源级及所述第九场效应管的源级共同连接电源端，所述第三场效应管的栅极和漏极、所述第二电容的另一端、所述第三电容的另一端、所述第五场效应管的源级、所述第六场效应管的源级、所述第十场效应管的源级、所述第十一场效应管的源级及所述比较器的另一输入端和接地端共同接地。[0010]所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管为P型场效应管，所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第十场效应管、所述第十一场效应管为N型场效应管。[0011]所述第一场效应管、所述第二场效应管及所述第三场效应管分别由一个电阻形成。[0012]本发明的有益效果是：电路结构简单，且在电源欠压尖峰脉冲到来时才会开启比较器的偏置电流，实现了超低静态功耗的电源欠压尖峰脉冲的检测。附图说明[0013]图1为本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路的具体电路结构图；[0014]图2为本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路的时序示意图。具体实施方式[0015]下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。[0016]如图1所示，本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、与静态置低子电路相连的低功耗控制子电路以及与静态置低子电路和低功耗控制子电路相连的比较器COM。[0017]其中，电压变化获取子电路用于获取电源电压的变化，静态置低子电路用于控制当无尖峰脉冲输入时，输出端输出低电平信号，低功耗控制子电路用于控制在有尖峰脉冲输入时为比较器COM提供偏置电流。[0018]在本发明中，电压变化获取电路包括第一场效应管Ml、与第一场效应管Ml相连的第二场效应管M2、与第二场效应管M2相连的第三场效应管M3、第一电容C1及与第一电容C1相连的第二电容C2;低功耗控制子电路包括第四场效应管M、与第四场效应管M4相连的第五场效应管M5、与第五场效应管M5相连的第六场效应管M6、与第六场效应管M6相连的第七场效应管M7、与第七场效应管M7相连的第八场效应管M8、与第四场效应管M4相连的第三电容C3及电阻R1;静态置低子电路包括第九场效应管购、与第九场效应管M9相连的第十场效应管M10及与第十场效应管M10相连的第^一场效应管Mil;比较器COM包括两个输入端Vip、Vin、偏置电流输入端ibias、接地端及输出端Spur_dn。[0019]本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路的具体电路连接关系如下：第一场效应管Ml的栅极和漏极与第二场效应管M2的源级相连，第二场效应管M2的栅极和漏极、第三场效应管M3的源级、第一电谷Cl的一％、苐二电容C2的一端、第四场效应管M4的栅极及电阻R1的一端共同连接比较器⑶M的输入端Vin;第四场效应管M4的源级与电阻R1的另一端共同连接第三电容C3的一端，其连接点处的电压端为ps，第四场效应管M4的漏极、第五场效应管耶的栅极和漏极、第六场效应管M6的栅极、第九场效应管M9的栅极及第十场效应管Ml〇共同相连，第六场效应管M6的漏极与第七场效应管M7的栅极和漏极及第八场效应管M8的栅极相连，第八场效应管M8的漏极与比较器COM的偏置电流输入端ibias相连;第九场效应管M9的漏极与第十场效应管M10的漏极及第^^一场效应管Mil的栅极相连，第^一场效应管Mil的漏极与比较器COM的输出端Spur—dn相连;第一场效应管Ml的源级、第一电容C1的另一端、第七场效应管M7的源级、第八场效应管M8的源级及第九场效应管M9的源级共同连接电源端VDD，第三场效应管M3的栅极和漏极、第二电容C2的另一端、第三电容C3的另一端、第五场效应管M5的源级、第六场效应管16的源级、第十场效应管肌0的源级、第^^一场效应管Mil的源级及比较器COM的输入端Vip和接地端共同接地。[0020]其中，在本实施例中，第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4、第七场效应管M7、第八场效应管M8、第九场效应管M9为P型场效应管，第五场效应管M5、第六场效应管M6、第十场效应管M10、第十一场效应管Mil为N型场效应管，在其他实施例中，上述场效应管可以为其他结构可以实现相同功能的元器件，并不限于此。[0021]在其他实施例中，电压变化获取电路中的第一场效应管Ml、第二场效应管M2及第三场效应管M3可以分别由一个电阻来代替。[0022]本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路的工作原理如下：[0023]电路静态工作时，在正常情况下是没有电源尖峰脉冲的，比较器的输入端Vin有静态的电压，输入端Vin与电压端Ps的电压相同，第四场效应管M4关闭；比较器COM没有偏置电流，不工作。静态置低子电路使得比较器COM的输出端Spur_dn为低电平。此时只有第一场效应管Ml、第二场效应管M2及第三场效应管M3会有电流流过，只要第一场效应管Ml、第二场效应管M2及第三场效应管M3的宽长比WL足够小，静态电流可以做到非常小。[0024]电路动态工作时，通过第一电容C1和第二电容C2获取尖峰电压的一部分分量AV，并作用到输入端Vin上，当输入端Vin的电压下降时，电压端Ps的电压不会马上跟随下降，这样就可以短暂的接通第四场效应管M4，并关闭静态置低子电路，使输出端Spur_dn不被强行拉低;若第四场效应管M4有电流流过，可以提供比较器COM的偏置电流，如果输入端Vin的电压低于地，则比较器COM使得输出端Spur_dn为高电平。[0025]请同时参阅图2,图2为本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路的时序示意图。由图中可以看出，当尖峰脉冲出现，并且尖峰电压下降超过设定的范围Vlevel时，会使得输出端Spur_dn输出的信号为高电平信号，其中，VDD_v为静态工作时的电源电压。[0026]在本发明中，尖峰电压的检测范围Vlevel的计算方法如下：[0027]当使用场效应管搭建的电压获取子电路时，为了比例精准，第一场效应管肌、第二场效应管M2及第三场效应管M3通常是型号相同的，设定VspUrt为尖峰脉冲的电压，则实际电压为VDD—v-Vspurt。静态工作时输入端Vin与地的电压相差VDD_v3,尖峰脉冲分量电压AV=Vspurt*ClACl+C2，因此只要AV大于输入端Vin的电压，就可以使输出端Spur_dn的电压变高。[0028]由此可得:VspurtVDD—v3*[C1+C2C1];[0029]Vlevel=VDD_v3*[Cl+C2Cl]；[0030]同理，假设使用电阻搭建电压获取子电路，可得出：[0031]VIeve1=[VDD_v*R3R2+R3]*[C1+C2Cl]；[0032]其中，C1、C2分别代表第一电容Cl与第二电容C2的电容值，R1、R2、R3分别等效于第一场效应管Ml、第二场效应管M2及第三场效应管M3处的电阻值。[0033]本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路通过低功耗控制子电路与静态置低子电路使得只有在欠压尖峰脉冲到来的时候才会开启比较器的偏置电流，而在正常情况下，比较器不工作，实现了超低静态功耗的电源欠压尖峰脉冲的检测。[0034]综上所述，本发明电源欠压尖峰脉冲检测电路结构简单，且在电源欠压尖峰脉冲到来时才会开启比较器的偏置电流，实现了超低静态功耗的电源欠压尖峰脉冲的检测。

权利要求：1.一种电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于:所述电源欠压尖峰脉冲检测电路包括电压变化获取子电路、静态置低子电路、与所述静态置低子电路相连的低功耗控制子电路以及与所述静态置低子电路和所述低功耗控制子电路相连的比较器，所述电压变化获取子电路获取电源电压的变化，所述静态置低子电路控制当无尖峰脉冲输入时，所述电源欠压尖峰脉冲检测电路的输出端输出低电平信号，所述低功耗控制子电路控制在有尖峰脉冲输入时为所述比较器提供偏置电流，所述电压变化获取电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、与所述第二场效应管相连的第三场效应管、第一电容及与所述第一电容相连的第二电容;所述低功耗控制子电路包括第四场效应管、与所述第四场效应管相连的第五场效应管、与所述第五场效应管相连的第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第四场效应管相连的第三电容及电阻;所述静态置低子电路包括第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管及与所述第十场效应管相连的第十一场效应管。2.根据权利要求1所述的电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于:所述第一场效应管的栅极和漏极与所述第二场效应管的源级相连，所述第二场效应管的栅极和漏极、所述第三场效应管的源级、所述第一电容的一端、所述第二电容的一端、所述第四场效应管的栅极及所述电阻的一端共同连接所述比较器的一输入端。3.根据权利要求2所述的电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于:所述第四场效应管的源级与所述电阻的另一端共同连接所述第三电容的一端，所述第四场效应管的漏极、所述第五场效应管的栅极和漏极、所述第六场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管共同相连，所述第六场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极和漏极及所述第八场效应管的栅极相连，所述第八场效应管的漏极与所述比较器的偏置电流输入端相连。4.根据权利要求3所述的电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于:所述第九场效应管的漏极与所述第十场效应管的漏极及所述第十一场效应管的栅极相连，所述第十一场效应管的漏极与所述比较器的输出端相连。5.根据权利要求4所述的电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于:所述第一场效应管的源级、所述第一电容的另一端、所述第七场效应管的源级、所述第八场效应管的源级及所述第九场效应管的源级共同连接电源端，所述第三场效应管的栅极和漏极、所述第二电容的另一端、所述第三电容的另一端、所述第五场效应管的源级、所述第六场效应管的源级、所述第十场效应管的源级、所述第十一场效应管的源级及所述比较器的另一输入端和接地端共同接地。6.根据权利要求1所述的电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于：所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管为P型场效应管，所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第十场效应管、所述第i^一场效应管为N型场效应管。7.根据权利要求1所述的电源欠压尖峰脉冲检测电路，其特征在于：所述第一场效应管、所述第二场效应管及所述第三场效应管分别由一个电阻形成。

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