申请/专利权人：文和文森斯设备公司

申请日：2018-07-23

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN111133590B

主分类号：H01L31/105

分类号：H01L31/105;H01L31/107;H01L31/0232;H01L27/144;G02B6/122;G02B6/136

优先权：["20170721 US 62/535,801","20170802 US 62/540,524","20170807 US 62/542,243","20170818 US 62/547,728","20170902 US 62/553,844","20170910 US 62/556,426","20170922 US 62/561,869","20171127 US 62/591,072","20171215 US 62/599,246","20171219 US 62/607,860","20180109 US 62/615,314","20180130 US 62/623,971","20180209 US 62/628,764","20180217 US 62/631,630","20180221 US 62/633,514","20180223 US 62/634,692","20180302 US 62/637,945","20180306 US 62/639,356","20180306 US 62/639,472","20180307 US 62/639,920","20180308 US 62/640,522","20180314 US 62/643,010","20180321 US 62/645,810","20180322 US 62/646,871","20180330 US 62/651,053","20180331 US 62/651,087","20180404 US 62/652,830","20180417 US 62/659,072","20180417 US 62/659,067","20180424 US 62/662,217","20180502 US 62/666,005","20180509 US 62/669,194","20180522 US 62/675,130","20180529 US 62/677,609","20180609 US 62/682,909"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2020.07.28#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：横向和竖直微结构增强的光电探测器和雪崩光电探测器与CMOSBiCMOSASIC单片集成，并且还可以使用流体组装技术与激光器件集成。光电探测器可以以竖直PIN布置或横向金属‑半导体‑金属布置来配置，其中，电极呈交叉指型图案。诸如孔和突起的微结构可以提高硅、锗和III‑V材料的量子效率并且还可以减小用于雪崩光电二极管的雪崩电压。应用包括数据中心内和数据中心之间的光学通信、电信、LIDAR和自由空间数据通信。

主权项：1.一种横向微结构增强的光电探测器，包括：具有顶表面和底表面的、水平延伸的非掺杂或低掺杂半导体材料I层；掺杂半导体材料区域，所述掺杂半导体材料区域向下延伸到所述I层中达0.1至10微米的深度，所述掺杂半导体材料区域的宽度为50至1000纳米，并且彼此水平间隔0.5至10微米；交叉指型电极，所述交叉指型电极在所述掺杂半导体材料区域上并与所述掺杂半导体材料区域电耦接，并且被配置成在所述I层中产生从所述掺杂半导体材料区域中的一个延伸到所述掺杂半导体材料区域中的另一个的电场；包括固体介电材料并且在所述I层下方的层；微结构，所述微结构包括从所述光电探测器的顶表面向下延伸到所述光电探测器中的故意形成的多个孔；其中：所述I层除了所述多个孔对所述I层的任何穿透之外是连续的；所述多个孔具有50至5000纳米范围内的深度，并且被部分地或完全地钝化；所述光电探测器被配置成：通过产生取决于照射的电输出来对所述照射进行响应；以及由于所述多个孔的存在，所述多个孔增强所述光电探测器的对一个或更多个选定波长范围内的光的外量子效率达至少10％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 文和文森斯设备公司 微结构增强的吸收光敏器件

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