申请/专利权人：东南大学

申请日：2022-05-24

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN114865890B

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/088;H02M1/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明公开了一种用于GaN功率管半桥驱动中高抗扰电路，分别在高低侧驱动电路与高低侧GaN功率管之间设置高低侧高抗扰电路，高低侧高抗扰电路内均设有由正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路构成的串扰抑制辅助回路，正、负向串扰电压尖峰吸收电路相互配合，对GaN电路的正向、反向串扰问题能够产生良好的抑制效果，使得驱动电路能可靠工作。

主权项：1.一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路，设有高侧驱动电路和高侧GaN功率管MH以及低侧驱动电路和低侧GaN功率管ML；其特征在于：分别在高低侧驱动电路与高低侧GaN功率管MHML之间设置高低侧高抗扰电路，高低侧高抗扰电路分别连接于桥臂电路中的高低侧GaN功率管MHML的栅极与源极之间；高侧高抗扰电路内设有高侧串扰抑制辅助回路，高侧串扰抑制辅助回路包括正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路；正向串扰电压尖峰吸收电路包括电阻R1_H、PNP三极管T1_H、电容C1_H和二极管D2_H，电阻R1_H的一端连接高侧驱动电路的输出端和PNP三极管T1_H的基极，电阻R1_H的另一端连接PNP三极管T1_H的发射极，PNP三极管T1_H的集电极连接电容C1_H的一端，电容C1_H的另一端连接二极管D2_H的正极，二极管D2_H的负极连接高侧驱动电源VDD_H的负极和高侧参考地浮动电压VS；负向串扰电压尖峰吸收电路包括二极管D1_H、NPN三极管T2_H、电阻R2_H以及与正向串扰电压尖峰吸收电路共用的电容C1_H；二极管D1_H的负极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_H的发射极与电阻R1_H的连接点和高侧GaN功率管MH的栅极，二极管D1_H的正极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_H的集电极与电容C1_H的连接点，NPN三极管T2_H的发射极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中电容C1_H与二极管D2_H正极的连接点，NPN三极管T2_H的基极连接电阻R2_H的一端，电阻R2_H的另一端和NPN三极管T2_H的集电极均连接高侧参考地浮动电压VS；低侧高抗扰电路内设有低侧串扰抑制辅助回路，低侧串扰抑制辅助回路与高侧串扰抑制辅助回路的结构相同，包括正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路；正向串扰电压尖峰吸收电路包括电阻R1_L、PNP三极管T1_L、电容C1_L和二极管D2_L，电阻R1_L的一端连接低侧驱动电路的输出端和PNP三极管T1_L的基极，电阻R1_L的另一端连接PNP三极管T1_L的发射极，PNP三极管T1_L的集电极连接电容C1_L的一端，电容C1_L的另一端连接二极管D2_L的正极，二极管D2_L的负极连接低侧参考地GND；负向串扰电压尖峰吸收电路包括电阻R2_L、二极管D1_L、NPN三极管T2_L以及和正向串扰电压尖峰吸收电路共用的电容C1_L；二极管D1_L的负极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_L的发射极与电阻R1_L的连接点和低侧GaN功率管ML的栅极，二极管D1_L的正极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_L的集电极与电容C1_L的连接点，NPN三极管T2_L的发射极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中电容C1_L与二极管D2_L正极的连接点，NPN三极管T2_L的基极连接电阻R2_L的一端，电阻R2_L的另一端和NPN三极管T2_L的集电极均连接低侧参考地GND。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路

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