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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
摘要：光电二极管器件包括半导体衬底；多个像素，每个像素包括在衬底的第一侧上的二极管结构和在所述衬底的第二侧上的导电层；以及将相邻像素彼此隔离的DTI结构，所述DTI结构包括导电材料，所述导电材料与在所述衬底的所述第二侧上的所述导电层和在所述衬底的所述第一侧上的金属线电耦接。所述DTI结构中的所述导电材料是用于所述像素的电极电路的一部分。
主权项：1.一种光电二极管器件，包括：半导体衬底；多个像素，每个像素包括在所述衬底的第一侧上的二极管结构和在所述衬底的第二侧上的导电层；以及将相邻像素彼此隔离的深沟槽隔离DTI结构，所述DTI结构包括导电材料，所述导电材料被电耦接到在所述衬底的所述第二侧上的所述导电层和在所述衬底的所述第一侧上的金属线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 具有深沟槽隔离结构的光电二极管
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