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申请/专利权人：君原电子科技(海宁)有限公司
申请日：2024-01-31
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118181449A
主分类号：B28B1/00
分类号：B28B1/00;C04B35/581;C04B35/622;B28B11/12;B28B17/00;B28B11/24;B24B27/06;B24B1/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种高热导率氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法，属于静电卡盘技术领域，所述制备方法包括：生坯成型：制备氮化铝陶瓷生坯；生坯打孔：装配第一刀具PCD铣刀，设定第一打孔参数，钻打第一孔，然后在第一孔中填入圆柱，所述第一打孔参数为转速为4000～8000rpm、给进速度为300～900mmmin；高温烧结：氮化铝陶瓷生坯制造后打第一孔，打孔后进行烧结；熟瓷打孔：装配第二刀具金刚石磨头，设定第二打孔参数，钻打第二孔，所述第二打孔参数为转速为15000～24000rpm、给进速度为100～500mmmin。
主权项：1.一种高热导率氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：生坯成型：制备氮化铝陶瓷生坯；生坯打孔：装配第一刀具，设定第一打孔参数，钻打第一孔，然后根据所述第一孔的大小判定是否在所述第一孔中填入圆柱；高温烧结：氮化铝陶瓷生坯制造后打所述第一孔，打孔后进行烧结；熟瓷打孔：装配第二刀具，设定第二打孔参数，钻打第二孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 君原电子科技(海宁)有限公司 一种高热导率氮化铝陶瓷静电卡盘的制备方法
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