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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198187A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种背结触太阳电池及其制备方法。本发明的背结触太阳电池的制备方法，针对背接触电池的N区和P区绝缘采用较厚的氧化硅层进行绝缘，实现物理绝缘，在组件端不需要额外的绝缘手段。针对硅基底正面钝化，采用厚氧化铝、氮化硅的结合进行钝化，利用厚氧化铝的绝缘性对空穴传输进行阻挡和氧化铝薄膜自带的高密度负电荷在硅基底正面组成PN结对电子进行阻挡，氧化铝和氮化硅叠层的使用降低了背接触太阳电池正面钝化的成本的同时，保证了良好的光学性能。
主权项：1.一种背结触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅基底的背面制备隧穿氧化层以及多晶硅层；对硅基底的正面进行单面制绒以及制备第一钝化层；对硅基底的正面与背面分别制备第二钝化层；对硅基底的背面进行第一次激光开模，去除预设P区域的部分所述多晶硅层与部分所述隧穿氧化层；对硅基底的正面与背面分别制备绝缘层；对硅基底的背面进行第二次激光开模，去除预设P区域的部分所述绝缘层；在硅基底的背面依次制备本征非晶硅层和掺杂层，所述掺杂层的掺杂类型与所述多晶硅层的类型不同；对硅基底的背面上与所述预设P区域间隔分布的预设N区域进行第三次激光开模，获得第一槽与第二槽，其中所述第一槽延伸至所述多晶硅层，所述第二槽延伸至所述本征非晶硅层；去除所述预设N区域的所述绝缘层以及所述掺杂层和所述本征非晶硅层，保留所述预设P区域与所述预设N区域之间的部分所述绝缘层；在硅基底的背面制备透明导电薄膜，并对所述透明导电薄膜进行激光开槽，以实现所述透明导电薄膜在预设N区域与预设P区域之间隔断；以及在所述预设P区域以及所述第一槽上分别制备金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 背结触太阳电池及其制备方法
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