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申请/专利权人：中国科学院电工研究所
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118191545A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及功率半导体器件的结温测量技术领域，公开了一种不受老化影响的MOSFET功率模块结温在线测量方法，本发明对于MOSFET功率模块，对键合线属于健康状态且是离线状态的MOSFET功率模块分别在正栅压状态下和负栅压状态下的导通压降进行标定，进而生成偏差电压与结温、电流的导通压降差映射关系曲线图，再通过在线测量VDonA、VConA、电流I2结合导通压降差映射关系曲线图，可准确测量出MOSFET功率模块的结温，并可对键合线老化状态进行解耦，排除键合线老化对结温估计的影响，从而提高全生命周期结温监测的准确性，相对于直接基于导通压降进行的结温估计，具有更高的温度分辨率。
主权项：1.一种不受老化影响的MOSFET功率模块结温在线测量方法，其特征在于，所述方法包括：在所述MOSFET功率模块处于离线状态下，按照预设时间逐步调节键合线属于健康状态的所述MOSFET功率模块的预设结温和预设电流，并在所述MOSFET功率模块满足反向导通条件时，标定所述MOSFET功率模块分别在沟道关断时所对应的第一导通压降和在沟通打开时所对应的第二导通压降；计算所述第一导通压降减去所述第二导通压降得到第一导通压降差，以消除键合线对导通压降的影响，并结合所述预设结温和所述预设电流，生成导通压降差映射关系曲线图；在所述MOSFET功率模块处于在线状态下，当键合线属于待测状态的所述MOSFET功率模块满足反向导通条件时，在线采样所述MOSFET功率模块分别在沟道关断时所对应的第三导通压降、第一反向导通电流和在沟道打开时所对应的第四导通压降、第二反向导通电流，所述第一反向导通电流和所述第二反向导通电流相等；计算所述第三导通压降减去所述第四导通压降得到第二导通压降差，以消除键合线对导通压降的影响，并结合所述第一反向导通电流或所述第二反向导通电流，从所述导通压降差映射关系曲线图中确定所述MOSFET功率模块处于在线状态下的目标结温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院电工研究所 一种不受老化影响的MOSFET功率模块结温在线测量方法及装置
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