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一种提升POFV工艺孔径公差的制作方法 

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申请/专利权人:沪士电子股份有限公司

摘要:本发明公开了一种提升POFV工艺孔径公差的制作方法,包括以下步骤:步骤a,通过压合流程将内层芯板粘合后得到压合板,在压合板上钻出孔导通孔和压接孔;步骤b,进行除胶沉铜处理,然后进行第一次电镀;步骤c,进行选择性堵孔,使导通孔为打开状态,压接孔为关闭状态,进行树脂塞孔;步骤d,除去压合板上下表面的树脂和胶,在导通孔位置沉上化学铜后,进行第二次电镀;步骤e,用影像转移的方式用干膜盖住压接孔;步骤f,进行盖帽电镀满足盖帽铜要求;步骤g,去除干膜后进入外层图形影像转移和蚀刻工序;步骤h,进行后续成形加工工序。本发明提供的一种提升POFV工艺孔径公差的制作方法,能够既满足盖帽铜厚度又能满足压接孔孔径要求,成本较低且耗时少,从而实现提升PCB流程经济性的目的。

主权项:1.一种提升POFV工艺孔径公差的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤a,通过压合流程将内层芯板粘合后得到压合板,在压合板上钻出孔,包含需要塞孔的导通孔和不需要塞孔的压接孔;步骤b,对导通孔和压接孔表面进行除胶沉铜处理,然后进行第一次电镀;步骤c,进行选择性堵孔,使导通孔为打开状态,压接孔为关闭状态,进行树脂塞孔;步骤d,除去压合板上下表面的树脂和胶,在导通孔位置沉上化学铜后,进行第二次电镀,在压合板上下表面电镀一层薄铜;步骤e,用影像转移的方式用干膜盖住压接孔;步骤f,进行盖帽电镀满足盖帽铜要求;步骤g,去除干膜后进入外层图形影像转移和蚀刻工序;步骤h,进行后续成形加工工序。

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权利要求:

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