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申请/专利权人：上海泽丰半导体科技有限公司
申请日：2022-12-14
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118191384A
主分类号：G01R1/067
分类号：G01R1/067;G01R3/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种线性探针及其制造方法，属于探针制造领域，方法包括：将圈料的探针基材穿进直线度为长度的0.2％的毛细管，并将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中，在真空度至少达到5*10‑3Pa的条件下350‑400℃进行真空退火，直至探针圈料的直线度达到材料长度的0.3％；将调直的探针基材固定在UV保护膜上；使用激光切割UV保护膜上的探针基材；将切割后的所述探针基材从UV保护膜上剥离，得到预定长度的探针；对所述探针进行微蚀去氧化处理，得到初成品；使用电化学腐蚀对所述初成品的一端做尖，得到线性探针。通过本公开的处理方案，提高了切割误差的精准度。
主权项：1.一种线性探针制造方法，其特征在于，包括：将圈料的探针基材穿进直线度为长度的0.2％的毛细管，并将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中，在真空度至少达到5*10-3Pa的条件下350-400℃进行真空退火，直至探针圈料的直线度达到材料长度的0.3％；将调直的探针基材固定在UV保护膜上；使用激光切割UV保护膜上的探针基材；将切割后的所述探针基材从UV保护膜上剥离，得到预定长度的探针；对所述探针进行微蚀去氧化处理，得到初成品；使用电化学腐蚀对所述初成品的一端做尖，得到线性探针。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海泽丰半导体科技有限公司 线性探针及其制造方法
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