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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明公开了一种顶部耦合器，涉及太赫兹波导耦合器技术领域，包括：互作用层和耦合波导层，互作用层包括互作用上层和互作用下层，在互作用上层的金属栅结构的两端开设输入输出耦合孔；耦合波导层一面开设凹槽，将耦合波导层的开设凹槽面与互作用层的开孔面密封贴合构成输入输出耦合结构，输入输出耦合结构一端通过输入输出耦合孔连接互作用层，另一端连通标准波导。本发明仅需使用微纳加工技术便可实现结构的加工；仅需要在薄金属板上刻槽便可实现加工，厚度更薄，避免磁块间距过大导致磁场较小，更容易实现与较窄磁块间距的聚焦磁场进行的装配；在轴向的长度更低，缩短了电子注的聚焦长度，降低了电子注聚焦难度，降低了磁聚焦压力。
主权项：1.一种顶部耦合器，其特征在于，包括：互作用层和耦合波导层，所述互作用层包括互作用上层1和互作用下层4，在所述互作用上层1的金属栅结构2的两端开设输入输出耦合孔3；所述耦合波导层5一面开设凹槽6，将所述耦合波导层5的开设凹槽面与所述互作用层的开孔面密封贴合构成输入输出耦合结构，所述输入输出耦合结构一端通过所述输入输出耦合孔3连接所述互作用层，另一端连通标准波导。
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