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【发明授权】非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法_佛山中研磁电科技股份有限公司_202111445535.6 

申请/专利权人:佛山中研磁电科技股份有限公司

申请日:2021-11-30

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN114147219B

主分类号:B22F1/16

分类号:B22F1/16;B22F9/08;C22C33/02;C22C38/00;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/32;C22C45/02;H01F1/153;H01F1/33;H01F41/02

优先权:["20201130 CN 2020113806416"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2024.06.04#著录事项变更;2022.11.11#实质审查的生效;2022.03.08#公开

摘要:本发明提供的一种非晶纳米晶绝缘成品粉末,其包括合金粉末及包覆于所述合金粉末外层的绝缘层,所述合金粉末其成分包括有Fe100‑a‑b‑c‑x‑y‑zSiaBbCcMnxCryXZ,式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种,其中8≤a≤15,6≤b≤12,0.2≤c≤3.0,0.1≤x≤3.5,0.5≤y≤2.5,0≤Z≤4.0;本发明的非晶纳米晶绝缘成品粉末通过合金成分的设计优化,以使其制备的非晶纳米晶产品具有低损耗、高饱和磁感应强度及高直流偏置能力的特点。

主权项:1.非晶纳米晶绝缘成品粉末,其特征在于,其包括合金粉末及包覆于所述合金粉末外层的绝缘层,所述合金粉末其成分包括Fe74.8Si11B9C1.5Cr2.5Mn0.2P1或Fe74.8Si11B9C0.5Cr1.5Mn0.2P2或Fe73.8Si11B9C1.5Cr1.5Mn0.2P2,或Fe79Si11B7C0.5Cr0.3Mn0.2P2。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 佛山中研磁电科技股份有限公司 非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法

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