申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-07-14

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN115425421B

主分类号：H01Q15/00

分类号：H01Q15/00;H01Q15/24;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种基于有耗电磁超表面的低RCS阵列天线，本发明属于微波天线技术领域。本发明所述低RCS阵列天线包括辐射阵列、各向异性有耗电磁超表面和馈电结构；各向异性有耗电磁超表面在与阵列天线极化方向相同的方向上，当平面电磁波入射到辐射阵列时，通过有耗电磁超表面将工作频带外的入射电磁波吸收，工作频带附近的电磁波由辐射阵列吸收，实现带内低RCS；各向异性有耗电磁超表面在与阵列天线极化方向正交的方向上，当平面电磁波入射到辐射阵列时，通过有耗电磁超表面将工作频带附近的入射电磁波吸收，实现宽带低RCS。

主权项：1.一种基于有耗电磁超表面的低RCS阵列天线，其特征在于，包括辐射阵列、各向异性有耗电磁超表面和馈电结构；辐射阵列由呈M×N紧密排布的微带矩形贴片辐射单元组成，周期小于等于工作中心频率对应的半个波长，M和N为正整数；微带矩形贴片辐射单元为线极化天线，包括矩形贴片3、第一方形介质基板2和金属地板1；矩形贴片3位于第一方形介质基板2的上表面的中心位置，且矩形贴片3的边与第一方形介质基板2的边平行；金属地板1满覆第一方形介质基板2的下表面；馈电结构采用50Ω同轴馈电，位于第一方形介质基板2的底部，包括外导体、介质层和内导体；外导体与金属地板1连接，内导体穿过第一方形介质基板2与矩形贴片3连接；各向异性有耗电磁超表面位于辐射阵列的上方，且留有间距；各向异性有耗电磁超表面由呈2M×2N紧密排布的超表面单元组成，周期为辐射阵列周期的一半；超表面单元为180°中心旋转对称结构，包括上超表面结构6、第二方形介质基板5和下超表面结构4；上超表面结构6位于第二方形介质基板的上表面，下超表面结构4位于第二方形介质基板的下表面；上超表面结构6包括两个第一横向枝节601、两个第二横向枝节602、两个矩形金属环603、两个第一纵向枝节604、两个第二纵向枝节605、两个第三纵向枝节606和两个第一电阻607；第一电阻607沿横向放置；第一横向枝节601与第二方形介质基板5的边平行，中心位置的内侧连接有第一电阻607；第一电阻607的另一端依次通过第一纵向枝节604和第二纵向枝节605连接至矩形金属环603，连接点位于矩形金属环603长边的中心位置；矩形金属环603另一长边的中心位置通过第三纵向枝节606与第二横向枝节602的中心位置连接，第二横向枝节602与矩形金属环603的长边平行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种基于有耗电磁超表面的低RCS阵列天线

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