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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
申请日：2022-06-02
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN115012035B
主分类号：C30B29/06
分类号：C30B29/06;C30B11/14;C30B11/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开
摘要：本发明涉及一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，它包括以下步骤，A.获取籽晶，将其铺设在坩埚底部；B.在籽晶上铺设个体尺寸大于籽晶拼缝的单晶致密料；C.在铸锭炉中熔融形成一块无拼缝籽晶；D.在无拼缝籽晶上放入循环料；E.在铸锭炉中熔融形成铸造硅锭。本发明的目的在于提供一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，可以有效防止籽晶拼缝中产生的位错源，提高铸造单晶硅锭的质量。
主权项：1.一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：它包括以下步骤，A.获取籽晶，将其铺设在坩埚底部；B.在籽晶上铺设个体尺寸大于籽晶拼缝的单晶致密料；C.在铸锭炉中熔融形成一块无拼缝籽晶；D.在无拼缝籽晶上放入循环料；E.在铸锭炉中熔融形成铸造硅锭；所述步骤B的具体方法为，在籽晶上铺设层厚为5-15cm的单晶致密料，单晶致密料的个体外形尺寸为4-8mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法
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