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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2020-07-30
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN111785493B
主分类号：H01F27/30
分类号：H01F27/30;H01J37/32;H01L21/67
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开
摘要：本发明提供一种射频线圈装置及多晶硅蚀刻机台，所述射频线圈装置包括线圈组件及支架组件，所述支架组件包括多个呈环状分布的支架，所述支架包括多个沿所述支架组件的轴向设置的台阶面，每个所述支架的多个所述台阶面沿所述支架组件的径向依次排列，所述线圈组件围绕所述支架组件的中心轴线盘绕设置于所述台阶面上；其中，每个所述台阶面上至多盘设一匝所述线圈组件，且每个所述支架至少具有一个空置的台阶面。通过设置每个台阶面上至多盘设一匝线圈组件，且每个支架至少具有一个空置的台阶面，使线圈组件可利用空置的台阶面调节线圈的径向间距，改变线圈组件的绕行密度，进而优化多晶硅蚀刻机台的蚀刻率的均匀性。
主权项：1.一种射频线圈装置，其特征在于，包括线圈组件及支架组件，所述支架组件包括多个呈环状分布的支架，所述支架包括多个沿所述支架组件的轴向设置的台阶面，每个所述支架的多个所述台阶面沿所述支架组件的径向依次排列，所述线圈组件围绕所述支架组件的中心轴线盘绕设置于所述台阶面上；其中，每个所述台阶面上至多盘设一匝所述线圈组件，且每个所述支架至少具有一个空置的台阶面；每个所述支架的多个所述台阶面向外沿所述支架组件的轴向依次抬升；所述线圈组件包括至少三个子线圈，至少三个所述子线圈围绕所述支架组件的中心轴线周向均匀分布；在同一个所述支架上，至少三个所述子线圈沿所述支架组件的径向依次排列，且至少三个所述子线圈的各匝按照所述支架组件的径向排列顺序重复排列；所述线圈组件于同一个所述支架盘绕的匝数至多为N，每个所述支架上台阶面的数量为M，其中，N为M-12的整数部分，且M为大于2的自然数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频线圈装置及多晶硅蚀刻机台
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