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申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要：本发明属于半导体领域，提供一种衬底及其制备方法，该衬底包括：基底，N层调试层，N层埋层，N为大于0的整数，所述调试层位于所述基底的一侧表面，且所述调试层与所述埋层间隔排布，所述调试层用于调试外延工艺参数，所述埋层用于在其表面形成所述调试层。本发明的衬底，实现了基底的循环利用，减少了基底的使用量，进而降低了外延过程的运营成本。
主权项：1.一种衬底，其特征在于，包括：基底，N层调试层，N层埋层，N为大于0的整数，所述调试层位于所述基底的一侧表面，且所述调试层与所述埋层间隔排布，所述调试层用于调试外延工艺参数，所述埋层用于在其表面形成所述调试层；所述调试层包括外延层和缓冲层，所述缓冲层位于所述基底一侧表面上，所述外延层位于所述缓冲层远离所述基底的一侧表面，所述埋层位于所述外延层远离所述缓冲层的一侧表面；所述基底包括基底掺杂剂，所述埋层包括埋层掺杂剂，基底掺杂剂浓度和埋层掺杂剂浓度之间满足：所述埋层掺杂剂浓度＞所述基底掺杂剂浓度。
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