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【发明授权】嵌入式电容器及嵌入式电容器的制作方法_上海朗矽科技有限公司_202310486112.1 

申请/专利权人:上海朗矽科技有限公司

申请日:2023-04-28

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN116544283B

主分类号:H01L29/94

分类号:H01L29/94;H01L21/329

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开

摘要:本发明公开了一种嵌入式电容器及嵌入式电容器的制作方法,所述嵌入式电容器包括:衬底,所述衬底的一个表面内具有多个沟槽,所述多个沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的衬底的表面上具有介质层;第一电极层,位于所述介质层表面上且覆盖所述多个沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的衬底的表面;第二电极层,嵌入所述衬底的预选的沟槽内且与所述沟槽的底部、侧壁接触;所述第一电极层和所述第二电极层之间电学绝缘。该嵌入式电容器,通过在衬底的预选的沟槽内嵌入与第一电极层绝缘且与衬底连接的第二电极层,再通过第二电极层引出衬底电极,既降低了衬底端电极的电阻率,进而降低了电容器的ESR,又不需要背面减薄、离子注入、合金化等额外工艺或设备。

主权项:1.一种嵌入式电容器,其特征在于,所述嵌入式电容器包括:衬底,所述衬底的一个表面内具有多个第一沟槽,所述多个第一沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的衬底的表面上具有介质层;第一电极层,位于所述介质层表面上且覆盖所述多个第一沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的衬底的表面;第二电极层,嵌入所述衬底的预选的第二沟槽内且与所述第二沟槽的底部、侧壁接触;所述第一电极层和所述第二电极层之间电学绝缘;所述第二电极层用于引出所述嵌入式电容器的衬底电极;所述预选的第二沟槽位于所述介质层两侧或四周的衬底内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海朗矽科技有限公司 嵌入式电容器及嵌入式电容器的制作方法

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