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申请/专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日：2023-09-08
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221151327U
主分类号：H03H9/17
分类号：H03H9/17
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：一种谐振器、滤波器及封装结构，涉及谐振器技术领域。该谐振器包括衬底、位于衬底上的第一压电堆叠结构，以及相变材料层；第一压电堆叠结构包括依次层叠的第一底电极层、第一压电层和第一顶电极层；相变材料层位于第一压电堆叠结构远离衬底的一侧，或者，相变材料层位于第一压电堆叠结构靠近衬底的一侧。该谐振器能够改善由于温度变化引起的频率漂移现象，提高器件的稳定性。
主权项：1.一种谐振器，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底上的第一压电堆叠结构，以及相变材料层；所述第一压电堆叠结构包括依次层叠的第一底电极层、第一压电层和第一顶电极层；所述相变材料层位于所述第一压电堆叠结构远离所述衬底的一侧，或者，所述相变材料层位于所述第一压电堆叠结构靠近所述衬底的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏声新技术有限公司 谐振器、滤波器及封装结构
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