龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种光学器件及其形成方法，其中形成方法包括：形成衬底以及位于衬底上的光电器件层；在所述衬底和光电器件层上形成介质结构，所述介质结构包括：第一介质层、位于第一介质层上的第一阻挡层、以及位于第一阻挡层上的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述第一阻挡层；形成贯穿所述第二介质层、第一阻挡层、和第一介质层的通孔，所述通孔暴露出光电器件层部分表面；在所述通孔内形成导电插塞；在所述第一开口内形成加热器结构。所述光学器件的形成方法提升了为加热器结构提供容纳空间的开口的深度均一性，从而提升了硅光芯片中加热器结构的性能稳定性，增强了加热器结构对光波导的相位控制，提升了硅光芯片的质量。
主权项：1.一种光学器件，其特征在于，包括：衬底以及位于衬底上的光电器件层；位于所述衬底和光电器件层上的介质结构，所述介质结构包括：第一介质层、位于第一介质层上的第一阻挡层、以及位于第一阻挡层上的第二介质层；位于所述第二介质层内且暴露出所述第一阻挡层的第一开口；贯穿所述第二介质层、第一阻挡层、以及第一介质层的通孔，所述通孔暴露出光电器件层的部分表面；位于所述通孔内的导电插塞；位于所述第一开口内的加热器结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号