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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2023-04-23
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215293A
主分类号：H10B41/41
分类号：H10B41/41;H10B43/40;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35
优先权：["20221216 US 63/433,284"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本公开的方面提供了一种半导体装置。该半导体装置包括衬底和交替堆叠在所述衬底之上的包括绝缘层和栅极层的交替层的堆叠体。交替层的堆叠体包括阵列区域和接触区域。该半导体装置包括在阵列区域中的穿过交替层的堆叠体设置的沟道结构。每个沟道结构形成串联构造的晶体管的堆叠体，其中栅极层是晶体管的堆叠体的栅极端子。该半导体装置包括设置在接触区域中的接触结构。每个接触结构电连接到栅极层之一。该半导体装置包括在阵列区域和接触区域中的穿过交替层的堆叠体设置的栅极线沟槽。栅极线沟槽是在接触区域中形成接触结构期间形成的。
主权项：1.一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体装置的衬底之上交替堆叠绝缘层和牺牲层，以形成包括阵列区域和接触区域的交替层的堆叠体，所述阵列区域用于形成晶体管，并且所述接触区域用于形成接触结构以电连接所述晶体管的栅极端子；在所述接触区域中形成所述接触结构期间，在所述阵列区域中和所述接触区域中形成栅极线沟槽；以及通过所述栅极线沟槽用栅极层替换所述牺牲层的至少部分，所述栅极层是所述晶体管的所述栅极端子并且电连接到所述接触结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 接触结构和栅缝隙以及形成接触结构和栅缝隙的合并方法
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