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申请/专利权人：北京泽石科技有限公司;泽石科技(武汉)有限公司
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118210448A
主分类号：G06F3/06
分类号：G06F3/06;G11C16/14;G11C16/34
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.05#实质审查的生效;2024.06.18#公开
摘要：本发明属于数据存储技术领域，具体涉及一种优化非易失性存储器weakblock的方法，包括以下步骤：S1、明确NandFlash当中的weakblock作为优化目标，将NandFlash放置低温或特殊场景下，连接到相应的硬件接口上，将NandFlash当中的数据进行读取，对存储单元做写入操作并读取存储块数据，识别weakblock，S2、根据NandFlash的产地或者铭牌，获取NandFlash原厂提供的格雷码，以便优化weakblock，S3、读取NandFlash原厂提供的格雷码，把TLC其中一个Page写成0xFF或0x00数据，保证数据组成的格雷码不出现高态level，S4、将weakblock重新做擦写读操作，本发明针对现有技术会将这些weakblock标记为坏块，导致这些block无法使用，该发明能提高weakblockProgram的通过率，由于block中没有高level的cell，能提升Nandretention性能，增强了Nand的可靠性并增加存储容量。
主权项：1.一种优化非易失性存储器weakblock的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、明确NandFlash当中的weakblock作为优化目标，将NandFlash放置低温或特殊场景下，连接到相应的硬件接口上，将NandFlash当中的数据进行读取，对存储单元做写入操作并读取存储块数据，识别weakblock；S2、根据NandFlash的产地或者铭牌，获取NandFlash原厂提供的格雷码，以便优化weakblock；S3、读取NandFlash原厂提供的格雷码，把TLC其中一个Page写成0xFF或0x00数据，保证数据组成的格雷码不出现高态level；S4、将weakblock重新做擦写读操作，判断优化结果；S5、将优化后的weakblock进行测试，从而得出优化效果；S6、对优化后的weakblock进行评估，从而判断优化情况。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京泽石科技有限公司;泽石科技(武汉)有限公司 一种优化非易失性存储器weak block的方法
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