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【发明公布】用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410267020.9 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2024-03-08

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118211557A

主分类号:G06F30/3947

分类号:G06F30/3947;G06F30/392

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本发明提供一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法,确定金属层目标版图中的热点图形和热点区域,热点区域包括多个金属层图形:根据设计规则,获取线宽和间距同时满足金属层最小设计规则的图形为热点图形,以热点图形为中心确定热点区域;定义热点区域中的图形之间间距大于目标值的区域为孤立区域;根据孤立区域移动热点区域中的金属层图形:在每组热点图形中,若其最外侧两边均存在孤立区域,则将金属层图形分别向两侧临近的孤立区域方向移动;在每组热点图形中,若其最外侧一边均存在孤立区域,则将金属层图形向该侧的孤立区域方向移动。本发明能够保证通孔层和上下层金属有最大接触面积的同时避免与相邻金属线之间发生短路。

主权项:1.一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法,其特征在于,至少包括:步骤一、确定金属层目标版图中的热点图形和热点区域,所述热点区域包括多个金属层图形:根据设计规则,获取线宽和间距同时满足金属层最小设计规则的图形为所述热点图形,以所述热点图形为中心确定所述热点区域;步骤二、定义所述热点区域中的图形之间间距大于目标值的区域为孤立区域;步骤三、根据所述孤立区域移动所述热点区域中的所述金属层图形:在每组所述热点图形中,若其最外侧两边均存在所述孤立区域,则将所述金属层图形分别向两侧临近的所述孤立区域方向移动;在每组所述热点图形中,若其最外侧一边均存在所述孤立区域,则将所述金属层图形向该侧的所述孤立区域方向移动;步骤四、对移动后的所述金属层图形进行渐变式的台阶化处理,使得所述金属层图形向所述孤立区域延伸;步骤五、根据移动以后相邻上下层的所述金属层图形的重叠中心确定最终通孔层位置的中心,进而得到移动矢量,确定所述最终通孔层的位置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法

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