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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231225A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构，所述方法包括如下步骤：提供一衬底；于衬底表面沉积形成第一层间介质层，第一层间介质层的膜层厚度为500‑600nm；于第一层间介质层表面沉积形成研磨阻挡层；于研磨阻挡层表面沉积形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层并停止于研磨阻挡层，第一层间介质层以及研磨后的研磨阻挡层形成层间介质层。本发明在研磨阻挡层表面直接沉积第二层间介质层，对第二层间介质层研磨，研磨停止于研磨阻挡层，得到完整且连续的研磨阻挡层表面，确保生成的层间介质层的表面的洁净以及均一性，降低层间介质层的表面出现缺陷的概率，利于后续工艺进行，提升后续所形成的薄膜表面的均匀性与连续性，保护器件性能。
主权项：1.一种半导体的层间介质层的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面沉积形成第一层间介质层，所述第一层间介质层的膜层厚度为500-600nm；于所述第一层间介质层表面沉积形成研磨阻挡层；于所述研磨阻挡层表面沉积形成第二层间介质层，所述第二层间介质层的膜层厚度小于所述第一层间介质层的膜层厚度；研磨所述第二层间介质层并停止于所述研磨阻挡层，所述第一层间介质层以及研磨后的所述研磨阻挡层形成所述层间介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构
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