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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215296A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/40;H10B43/50;H01L21/324
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请实施方式提供了一种半导体构件及其制造方法、存储系统。制造方法包括：在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复，第一晶圆包括存储单元；将第一晶圆与第二晶圆键合以形成半导体构件，第二晶圆包括器件层；以及在低于第一温度的第二温度下修复半导体构件。
主权项：1.一种半导体构件的制造方法，其特征在于，包括：在第一温度下对第一晶圆进行缺陷修复，所述第一晶圆包括存储单元；将所述第一晶圆与第二晶圆键合以形成半导体构件，所述第二晶圆包括器件层；以及在低于所述第一温度的第二温度下修复所述半导体构件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体构件及其制造方法、存储系统
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