龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中山大学
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215386A
主分类号：H10N70/00
分类号：H10N70/00;H10N70/20;G06N3/065
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种忆阻器及其制备方法和应用。该忆阻器包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过低维稀土硼化物纳米材料连接以实现电子导通。该忆阻器以低维稀土硼化物纳米材料作为阻变层阻变材料将电极连接，其可以使忆阻器具有良好的阻变特征。并且，由于低维稀土硼化物纳米材料具有高热稳定性和化学稳定性，进而使得该忆阻器可以在恶劣环境比如，高温进行工作。
主权项：1.一种忆阻器，其特征在于，包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过低维稀土硼化物纳米材料连接以实现电子导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种忆阻器及其制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号