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【发明公布】发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202211621641.X 

申请/专利权人:厦门三安光电有限公司

申请日:2022-12-16

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118213447A

主分类号:H01L33/14

分类号:H01L33/14

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.18#公开

摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括发光层、N型半导体层、P型半导体层、电子阻挡层和衔接层,发光层具有相对的第一侧和第二侧,N型半导体层设置在发光层的第一侧,P型半导体层设置在发光层的第二侧,电子阻挡层设置在发光层和P型半导体层之间,衔接层设置在发光层和电子阻挡层之间,其中,衔接层中掺杂有铟元素。借此,通过在衔接层中掺入铟元素,可以有效降低电子阻挡层和衔接层之间的能障,进而有利于空穴注入,提升发光二极管的光电品质。

主权项:1.一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管包括:发光层,具有相对的第一侧和第二侧;N型半导体层,设置在所述发光层的所述第一侧;P型半导体层,设置在所述发光层的所述第二侧;电子阻挡层,设置在所述发光层和所述P型半导体层之间;衔接层,设置在所述发光层和所述电子阻挡层之间;其中,所述衔接层中掺杂有铟元素。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门三安光电有限公司 发光二极管及发光装置

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