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申请/专利权人：北京弘图半导体有限公司
申请日：2022-09-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN115831988B
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：["20210917 US 17/478,556"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开
摘要：本申请为用于图像传感器的深沟槽隔离结构，实施例公开了一种图像传感器装置。该图像传感器装置包括具有多个像素区的衬底。两个相邻的像素区通过隔离结构光学隔离。示例性形成隔离结构的方法包括：接收具有第一衬底的工件；蚀刻第一衬底的前侧以形成第一沟槽；在第一沟槽中沉积填充层；从第一衬底的背侧去除部分填充层，以形成被填充层围绕的第二沟槽；以及，在第二沟槽中沉积金属层，以形成隔离结构。
主权项：1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：接收具有第一衬底的工件；蚀刻所述第一衬底的前侧以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中沉积填充层；从所述第一衬底的背侧去除部分所述填充层，以形成被所述填充层围绕的第二沟槽；以及，在所述第二沟槽中沉积金属层，以形成包括所述金属层和所述填充层的隔离结构，其中，所述隔离结构将所述图像传感器的相邻像素区分隔开；所述方法还包括：在去除部分所述填充层之前，减薄所述第一衬底的背侧，以使密封在所述填充层中的缝隙从所述第一衬底的背侧暴露，其中，所述缝隙是在所述第一沟槽中沉积所述填充层期间形成的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京弘图半导体有限公司 用于图像传感器的深沟槽隔离结构
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