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申请/专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
摘要：本发明提供了一种具大面积有源区的IGBT芯片及其制作方法，该芯片包括自底而上的衬底、深沟槽、终端环、浅沟槽、栅极多晶硅、N+发射极、接触孔和金属层；其中，所述深沟槽为所述IGBT芯片中最边缘沟槽，且所述深沟槽的深度大于所述浅沟槽的深度。本发明利用把最边缘的Trench刻蚀得更深的方式，起到阻挡终端环往有源区扩散的作用，使得终端环不再包裹有源区的Trench，实现有源区面积的最大化，这种边缘深沟槽结构能有效阻挡终端环往有源区扩散，增大有源区面积，提升IGBT芯片电流负载能力。
主权项：1.一种具大面积有源区的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，所述具大面积有源区的IGBT芯片包括自底而上的衬底、深沟槽、终端环、P型体区、浅沟槽、栅极多晶硅、N+发射极、接触孔和金属层；其中，所述深沟槽为所述IGBT芯片中最边缘沟槽，且所述深沟槽的深度大于所述浅沟槽的深度，所述深沟槽位于所述终端环与所述P型体区之间，所述终端环的深度小于所述深沟槽的深度；所述制作方法包括如下步骤：S1、选择N型单晶硅衬底，沉积预设厚度的二氧化硅，通过光刻和离子注入在所述N型单晶硅衬底中形成P型体区，使用光刻胶做掩膜，再进行二氧化硅刻蚀得到氧化层，并清除光刻胶；S2、将所述氧化层作为硬掩模层，采用干法刻蚀进行边缘深沟槽刻蚀，淀积光刻胶填充深沟槽，再对硬掩模层进行刻蚀；S3、去除光刻胶，刻蚀浅沟槽后去除硬掩模层；S4、通过氧化形成栅极氧化层，淀积多晶硅填充所述深沟槽和浅沟槽形成栅极多晶硅后刻蚀去除N型硅衬底的表面多晶硅，通过离子注入形成N+发射极，再淀积多晶硅后刻蚀部分多晶硅；S5、淀积介质层，再通过刻蚀开出接触孔，淀积顶层金属层以连接N+发射极；所述步骤S3具体包括：去除光刻胶，采用干法刻蚀浅沟槽后去除硬掩模层。
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权利要求：
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