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申请/专利权人：北京中科格励微科技有限公司
摘要：本说明书实施例提供一种MEMS器件真空封装方法，包括获取一SOI晶圆；在SOI晶圆上制备MEMS结构得到包括可动结构的MEMS结构晶圆；获取一硅晶圆或一SOI晶圆并制备凹槽结构得到盖板晶圆；将MEMS结构晶圆和盖板晶圆进行非贴合对准以形成微型预备腔，可动结构容置于微型预备腔内；将MEMS结构晶圆和盖板晶圆置于键合设备中以重复进行抽气、充气、抽气操作；对MEMS结构晶圆和盖板晶圆进行键合以使微型预备腔形成微型气密腔得到键合片；将键合片置于加热设备中，以使微型气密腔内残留的气体逃逸或使其与微型气密腔内壁面和可动结构表面反应生成膜层。本方法工艺简单，能够提高器件中微型气密腔的真空度，提高器件品质。
主权项：1.一种MEMS器件真空封装方法，其特征在于，包括：获取一SOI晶圆，所述SOI晶圆依次包括顶层硅、埋氧层和衬底硅；在所述顶层硅和所述埋氧层上制备MEMS结构得到MEMS结构晶圆，所述MEMS结构晶圆包括可动结构；获取一硅晶圆或一SOI晶圆并在其表面制备凹槽结构，得到盖板晶圆；利用插片将所述MEMS结构晶圆和所述盖板晶圆进行非贴合对准，使所述MEMS结构与所述凹槽结构对准形成微型预备腔，所述可动结构容置于所述微型预备腔内；将非贴合对准的MEMS结构晶圆和盖板晶圆置于键合设备中，以重复进行抽气、充气、抽气操作，直至达到预设轮次，充气时充入的气体为第一气体，所述第一气体为纯氧气、氢气、氢氧混合气体、氨氧混合气体中的一种；撤下所述插片，对重复预设轮次抽气、充气、抽气操作后的非贴合对准的MEMS结构晶圆和盖板晶圆进行键合以使所述微型预备腔形成微型气密腔，得到MEMS结构晶圆和盖板晶圆键合片；将所述键合片置于加热设备中进行保温，以使所述微型气密腔内残留的气体逃逸或使所述微型气密腔的内壁面和所述可动结构的表面均与所述微型气密腔内残留的气体反应生成膜层。
全文数据：
权利要求：
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