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申请/专利权人：季华实验室
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN117810275B
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/107;G02B5/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要：本发明提供了一种光电探测器，涉及半导体技术领域，包括硅基层、连接层、第一陷光层、第二陷光层及光栅层，硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；连接层设置在出光面上；第一陷光层设置在入光面朝向出光面的一侧；第二陷光层设置在出光面朝向入光面的一侧；光栅层设置在连接层与出光面之间。本发明技术方案分别在硅基层的入光面和出光面上设置了陷光层，在第二陷光层的作用下，改变了出光面的表面结构，降低了光在进入出光面时的反射率，配合光栅层与硅形成等离子体激元效应，增强硅基层的光吸收效率。在第一陷光层的作用下，提高了光的反射率，防止光从入光面射出，大大提高了硅基层的光吸收率。
主权项：1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：硅基层，所述硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；连接层，所述连接层设置在所述出光面上；第一陷光层，所述第一陷光层设置在所述入光面朝向所述出光面的一侧；第二陷光层，所述第二陷光层设置在所述出光面朝向所述入光面的一侧；光栅层，所述光栅层设置在所述连接层与所述出光面之间；所述出光面上具有第一电极区、围合在所述第一电极区的第一安装区以及围合在所述第一安装区周围的第二电极区；所述第二陷光层包括多个第二凸块，多个所述第二凸块均匀间隔设置在所述第一安装区，所述第一电极区与所述第二电极区均用于连接外部电极；所述光栅层包括多个光栅条，多个所述光栅条间隔设置在所述连接层与所述出光面之间；其中，多个所述第二凸块呈阵列分布，所述光栅条与所述阵列的行方向或列方向平行；所述连接层朝向所述出光面的一侧上具有第二安装区，所述第二安装区的位置与所述第一安装区的位置相对应；多个所述光栅条间隔设置在所述第二安装区内；所述光栅条的厚度为100nm~300nm，宽度为100nm~300nm，任意相邻两个所述光栅条之间的间距为50nm~200nm。
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