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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日：2020-10-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114787304B
主分类号：C09G1/02
分类号：C09G1/02;C09K3/14;H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/02
优先权：["20191212 US 16/711,818"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.07.22#公开
摘要：本发明公开了STICMP抛光组合物、方法和系统，其通过使用作为磨料的二氧化铈无机氧化物颗粒如二氧化铈涂覆的氧化硅颗粒和聚甲基丙烯酸、其衍生物、其盐或其组合的氧化物沟槽凹陷减少添加剂的独特组合，在提供高且可调的氧化硅去除速率、低氮化硅去除速率和可调的高SiO2:SiN选择性之外，还显著降低氧化物沟槽凹陷和提高过抛光窗口稳定性。
主权项：1.一种化学机械抛光组合物，其包含：二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒；氧化物沟槽凹陷减少剂，其选自有机聚合物酸、其酯衍生物、其盐及其组合；水基溶剂；其中所述组合物具有3至10的pH；以及所述氧化物沟槽凹陷减少剂具有如下所示的分子结构： 其中R1和R2各自独立地选自由氢和烷基基团且m为1至4组成的组；R3是烷基基团且m为1至4；R4选自由氢、烷基基团且m为1至4、金属离子和铵离子组成的组；且n选择为提供1,500至15,000的分子量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 低氧化物沟槽凹陷的浅沟槽隔离化学机械平面化抛光
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