申请/专利权人：首尔半导体株式会社

申请日：2018-03-19

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN110168722B

主分类号：H01L25/075

分类号：H01L25/075;H01L33/58;H01L33/36;H01L33/50

优先权：["20170327 KR 10-2017-0038322"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2020.04.03#实质审查的生效;2019.08.23#公开

摘要：本发明提供一种发光模块。所述发光模块，包括：基础基板；第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及第二发光二极管，位于所述基础基板，并相隔于所述第一发光二极管，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域及第二发光区域，所述第二发光区域从所述第一发光区域隔开而围绕所述第一发光区域。

主权项：1.一种发光模块，包括：基础基板；第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及第二发光二极管，位于所述基础基板上，并与所述第一发光二极管相隔，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管中的每一个包括：基板；发光结构物，位于所述基板的一侧表面上，并且包括第一发光区域及第二发光区域；以及波长转换层，位于所述基板的另一侧表面上，并且包括第一波长转换层以及第二波长转换层，所述第一波长转换层与所述第一发光区域对应并包括第一荧光体，所述第二波长转换层与所述第二发光区域对应并包括第二荧光体，其中，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔并以闭环形态围绕所述第一发光区域。

全文数据：发光模块技术领域本发明涉及一种发光模块，尤其涉及包括多个发光二极管的发光模块。背景技术根据现有技术的发光模块具有在单一LED芯片上形成有单一波长转换层的发光部和在所述发光部上布置透镜的结构。此种根据现有技术的发光模块难以调整指向角及色温colortemperature：CCT。并且，根据现有技术的发光模块只能实现如光的指向角单一地体现为广角或窄角，因此通过单一的发光模块难以同时支持较广的指向角及较窄的指向角。据此，在包括广角相机和窄角相机的移动设备等，无法利用单一的相机闪光灯同时提供用于广角及窄角相机的照明。发明内容技术课题本发明所要解决的技术课题为提供一种可以调整发出的光的指向角的发光模块。本发明所要解决的另一课题为提供一种可将具有相对较宽的指向角及相对较窄的指向角的光全部发出的发光模块。本发明所要解决的又一课题为提供一种可调整色温colortemperature的发光模块。技术方案根据本发明的一实施例提供一种发光模块，其包括基础基板；第一发光二极管，位于所述基础基板上；及第二发光二极管，位于所述基础基板，并相隔于所述第一发光二极管，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域及第二发光区域，所述第二发光区域从所述第一发光区域隔开而围绕所述第一发光区域。发明效果发光模块包括相隔而设置的第一发光二极管及第二发光二极管，第一发光二极管及第二发光二极管分别包括可独立驱动的第一发光区域及具有围绕所述第一发光区域的结构的第二发光区域，据此可调整发出的光的指向角。并且，发光模块通过第一发光二极管及第二发光二极管可发出具有相互不同的指向角的光，而且可控制其指向角。并且，每个发光二极管还可包括波长转换层，据此发光模块可控制发出的光的色温。附图说明图1a是根据一实施例的发光模块的立体图，图1b是沿图1a的截取线A-A'截取的剖面图。图2a是包括于图1的发光二极管的立体图，图2b是沿图2b的截取线B-B’截取的剖面图。图3是示出从根据一实施例的发光模块发出的光的指向角的一个示例。图4是示出包括本发明的发光模块1000的设备的一例。图5a是根据另一实施例的发光二极管的立体图，图5b是沿图6a的截取线C-C'截取的剖面图。图6是示出根据一实施例的发光模块的制造方法。具体实施方式以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了能够将本发明的思想充分传递给本发明所属技术领域的普通技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，也可能为了方便而夸大表现构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分均“直接”位于另一构成要素的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图标号表示相同的构成要素。根据本发明的发光模块包括：基础基板；第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及第二发光二极管，位于所述基础基板，并相隔于所述第一发光二极管，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域及第二发光区域，所述第二发光区域从所述第一发光区域隔开而围绕所述第一发光区域。此时，所述第一发光二极管及第二发光二极管可相互独立地驱动。即，所述基础基板可包括电极图案，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别连接于所述电极图案从而可独立地驱动。第一发光二极管及第二发光二极管所包括的第一发光区域及第二发光区域分别包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，在此第一发光区域及第二发光区域也可相互独立地被驱动。在此，所述第一及第二发光区域共享同一个中心，据此第一发光二极管及第二发光二极管可实现可变控制指向角。即，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别可通过控制施加于第一及第二发光区域的电源的比率而可控制射出的光的指向角。此时，可控制从所述第一发光二极管射出的光的指向角和从所述第二发光二极管射出的光的指向角相互不同或相同。并且，所述发光模块中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别还可包括覆盖第一发光区域及第二发光区域的波长转换层。此时，所述波长转换层在所述第一发光区域及第二发光区域中可包括相同的荧光体，或者所述波长转换层可包括：第一波长转换层，包括对应于所述第一发光区域的第一荧光体；以及第二波长转换层，包括对应于所述第二发光区域的第二荧光体。并且，所述波长转换层还可包括位于所述第一波长转换层及第二波长转换层之间的阻隔层。阻隔层可促进光的扩散。所述第一发光二极管及第二发光二极管分别通过控制施加于第一及第二发光区域的电源的比从而可控制射出的光的色温。另外，所述第一发光二极管及第二发光二极管可分别通过控制施加于第一及第二发光区域的电源的比率而同时控制射出的光的色温及指向角。此时，从所述第一发光二极管射出的光的色温和从第二发光二极管射出的光的色温可相同或不同。并且，所述发光模块还可包括覆盖所述第二发光区域的侧面的反射层。即，侧面反射层覆盖第一发光二极管及第二发光二极管所包括的第二发光区域的侧面，据此可阻隔从侧面射出的光。即，侧面反射层可将射出的光的指向角限制于特定范围内。并且，所述发光模块还可包括位于所述第一发光二极管及第二发光二极管上的透镜，在此，所述透镜可包括两个焦点，此时，两个焦点可分别对应于第一发光二极管及第二发光二极管的光轴。并且，所述发光模块还可包括位于所述基础基板上并包括腔室的壳体，此时，所述第一发光二极管及第二发光二极管位于所述腔室内。壳体可保护第一发光二极管及第二发光二极管，并且可起到固定透镜的作用。以下，参照附图详细说明本发明的实施例。图1，是示出根据本发明的实施例的发光模块1000。具体地，图1a是发光模块1000的立体图，图1b是沿图1a的截取线A-A'截取的剖面图。参照图1，发光模块1000可包括基础基板100、第一发光二极管200a、第二发光二极管200b、壳体300及透镜400。首先，基础基板100可包括绝缘基板。绝缘基板可以为陶瓷基板，例如可包括A1N基板。A1N基板的高温耐久性较好，并且散热特性优良。虽然图3中未图示，基础基板100可包括电极图案。第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可位于所述基础基板100上。第一发光二极管200a及第二发光二极管200b彼此可以以预定距离隔开，并分别连接于基础基板100所包括的电极图案可以独立驱动。参照图2详细说明第一发光二极管200a及第二发光二极管200b。图2是用于说明图1的发光模块1000所包括的第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的图，图2a是发光二极管的立体图，图2b是沿图2a的截取线B-B’截取的剖面图。第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可具有相同的构成及结构。因此，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b均可适用以下通过图2所述的发光二极管的构成及结构。参照图2，发光二极管可包括基板10、位于所述基板10上的发光结构物20、覆盖所述发光结构物20的波长转换层30。并且，发光二极管还可包括包围所述发光结构物20侧面的侧面反射层40及覆盖所述波长转换层的上表面的光扩散层50。基板10只要是适合于生长氮化镓基半导体层的基板，则并不会特别限定。例如，可以为蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板、硅基板等。而且，基板10可以为可透射光的透明基板，其上表面可具有凹凸图案。虽然，图2中未具体图示发光结构物20，然而可包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及介于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层。第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层可依次层叠于基板10上。第一导电型半导体层可以为掺杂有n型杂质，例如掺杂有硅的氮化镓基半导体层，第二导电型半导体层可以为掺杂有p型杂质，例如掺杂有镁的氮化镓基半导体层，或者对应于相反情形。活性层可具有单量子阱结构或多量子阱结构。活性层内的阱层的组成及厚度可决定生成的光的波长。尤其，可以通过调整阱层的组成而提供生成紫外线、蓝光或绿光的活性层。发光结构物20可包括多个发光区域。例如，参照图2发光结构物20可包括第一发光区域21及第二发光区域23。第二发光区域23可具有与第一发光区域21相隔并围绕第一发光区域21的结构。虽然图2中只公开了两个发光区域，然而发光结构物20可包括共享中心的多个3个以上的发光区域。第一发光区域21及第二发光区域23可通过分离槽22而被定义。第二发光区域23借由第一发光区域21和分离槽22而相隔设置。分离槽22可以通过发光结构物20的上表面，即通过第二导电型半导体层和活性层而暴露第一导电型半导体层的一部分。或者分离槽22可以通过第二导电型半导体层、活性层及第一导电型半导体层而暴露基板的一部分。分离槽22可以在发光结构物20上表面的内部区域具有圆形或四边形的闭环closedloop结构。以闭环结构的分离槽为基准，第一发光区域21可位于其内侧，第二发光区域23可位于其外侧。或者，根据另一实施例，第二发光区域23可通过蚀刻发光结构物20而形成，并且第一发光区域21单独地形成于外部后与第二发光区域23结合，或者也可以与其相反。例如，为了定义用于结合第一发光区域21的区域，闭环结构的分离槽22内侧区域可通过蚀刻工序被去除，第一发光区域21结合于通过蚀刻工序去除的内部区域，从而形成包括多个发光区域的发光结构物20。此情况下，第一发光区域21和第二发光区域23可以形成为相同的高度。或者，相反地，第一发光区域21可通过蚀刻发光结构物20而形成，并且单独在外部形成的第二发光区域23可以与第一发光区域21结合。通过如上所述的制造方法形成的发光结构物20可在第一发光区域21和第二发光区域23发出相同或相互不同的波段的光。即，第一反光区域21和第二发光区域23所包括的活性层可具有相互不同的组成，据此发出的光的波长可相互不同。第一发光区域21及第二发光区域23的形状可根据分离槽22的形状而确定。例如，在分离槽22具有闭环结构的四边形形状的情况下，位于其内侧的第一发光区域21具有四边形形状，第二发光区域以分离槽22为界线围绕第一发光区域。参照图2，第一发光区域21可位于发光结构物20的中央。分离槽22沿第一发光区域21的外周部而设置，并且第二发光区域23可具有以所述分离槽22为界线而与第一发光区域21隔开并围绕第一发光区域21的结构。并且，分离槽22可布置有绝缘层未图示。绝缘层可阻隔第一发光区域21及第二发光区域23的意外的电连接。借由所述绝缘层，可提升第一发光区域21及第二发光区域23独立运行的发光二极管的可靠性。发光结构物20所包括的各发光区域，即第一发光区域21及第二发光区域23可独立运行。即，第一发光区域21及第二发光区域23接收彼此相同或不同大小的电流和或电压可输出彼此相同或不同的输出。例如，将大于第二发光区域23的电压和或电流提供至第一发光区域21的情况下，位于发光结构物20的中央的第一发光区域21的输出将大于第二发光区域23的输出，据此，从发光二极管发出的光的指向角可较窄地形成。作为另一例，在将大于第一发光区域21的电压和或电流提供至第二发光区域23的情况下，位于发光结构物20的外围的第二发光区域23的输出将大于第一发光区21域的输出，据此，从发光二极管发出的光的指向角可较宽地形成。即，根据本发明的发光二极管基于第二发光区域23围绕第一发光区域21的结构，可随着调整供给于第一发光区域21及第二发光区域23的电压和或电流的大小而改变发出的光的指向角。如上所述，为了实现第一发光区域21及第二发光区域23的独立运行，发光二极管可包括与第一发光区域21所包括的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层电连接的第一电极对，并且还可包括与第二发光区域23所包括的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层电连接的第二电极对。此情况下，第一发光区域21通过第一电极对从外部接收电压和或电流以独立于第二发光区域23而运行，第二发光区域23通过第二电极对从外部接收电压和或电流，以独立于第一发光区域21而运行。或者，为了使第一发光区域21及第二发光区域23独立地运行，发光二极管可包括与第一发光区域21和第二发光区域23均电连接的共同电极。例如，共同电极可共同连接于第一发光区域21的第一导电型半导体层或第二导电型半导体层和第二发光区域23的第一导电型半导体层或第二导电型半导体层。在此情况下，发光二极管还可包括与第一发光区域21的第二导电型半导体层或第一导电型半导体层电连接的第一电极及与第二发光区域23的第二导电型半导体层或第一导电型半导体层电连接的第二电极。作为另一例，共同电极可与第一发光区域21的第一导电型半导体层或第二导电型半导体层和第二发光区域23的第二导电型半导体层或第一导电型半导体层共同连接。此情况下，发光二极管还可包括与第一发光区域21的第二导电型半导体层或第一导电型半导体层电连接的第一电极及与第二发光二极管200b的第一导电型半导体层或第二导电型半导体层电连接的第二电极。波长转换层30覆盖发光结构物的上表面。在此，发光结构物20的上表面意味着光的主射出面。参照图2b，基板10位于发光结构物20的光的主射出面，及上表面。此情况下，基板10可以为透明基板，并且波长转换层30可覆盖基板10。然而，根据另一实施例，基板10可以位于发光结构物20的下部，在此情况下结构物20的光的主射出面可以为形成有基板10的相反面。并且，波长转换层30可位于发光结构物20上。波长转换层30包括荧光体未图示。所述荧光体可转换从所述发光二极管芯片发出的光的波长。为了防止荧光体暴露于外部，以使变形和或变色，波长转换层具有预定尺寸以上的厚度。侧面反射层40可覆盖发光结构物20的侧面。侧面反射层40可覆盖第二发光区域的侧面。并且，侧面反射层40可覆盖将发光结构物20的上表面覆盖的波长转换层30的侧面。侧面反射层40可以使发射至发光结构物20的侧面的光反射，从而使其朝向发光结构物20的上表面。借由反射层40可限制从发光二极管发射的光的指向角。侧面反射层40可包括树脂材质的白色壁。在侧面反射层40包括树脂材质的白色壁的情况下，为了提升针对朝向发光结构物20的侧面的光的阻断或反射的可靠性，侧面反射层40可具有预定尺寸以上的厚度。这是因为在侧面反射层40的厚度较薄的情况下，一部分光将会透过树脂材质的侧面反射层40。例如，侧面反射层40可具有50μm以上的厚度。或者，侧面反射层可包括光反射率较高的金或铝的金属反射层。包括金属反射层的侧面反射层40在具有数μm以下的厚度时也能够阻断或反射光。例如，侧面反射层40可形成为5μm以下厚度，具体为1～2μm的厚度。并且，包括金属反射层的侧面反射层40与包括树脂的白色壁不同，包括金属材质，因此具有裂纹危险性较低的优点。光扩散层50可覆盖位于发光结构物20上的波长转换层30的上表面。并且光扩散层50可进一步沿水平方向延伸，以覆盖侧面反射层40的上表面。光扩散层50可帮助扩散从发光二极管发射的光，并且可以控制其密度而决定光的扩散程度。重新参照图1，壳体300可包括用于定义贴装发光二极管200a、200b的区域的腔室C。腔室C可布置于发光模块1000的中央。腔室C被侧壁围绕。侧壁可以以基础基板100为基准垂直地形成。或者，侧壁为了反射从发光二极管200a、200b发出的光而可具有倾斜面。并且，腔室C可具有旋转对称的形状，尤其可具有圆形形状。在此，旋转对称并不只意味着旋转体，而是也可包括当以60°、90°、130°或180°等特定角度旋转时维持相同的形状的情形。只不过腔室C的形状并未限定于圆形，而是根据需要可具有多种形状。透镜400可位于所述发光二极管200a、200b上。透镜400可固定于所述壳体300以位于所述发光二极管上。透镜400可包括螺纹透镜FresnelLens。参照图1透镜400可包括两个焦点。如在上文中提到，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b分别具有第二发光区域23围绕第一发光区域21的结构。即，由于第一发光区域21及第二发光区域23的中心相同，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b分别可通过一个焦点聚集光。据此，发光模块1000可通过包括两个焦点的透镜400而实现。参照图1b，透镜400所包括的两个焦点可分别对应于第一发光二极管200a及第二发光二极管200b。所述两个焦点可设置为分别对应于第一发光二极管200a的光轴L1及第二发光二极管200b的光轴L2。根据本实施例的发光模块1000包括相隔地布置于基础基板100上，并且能够控制指向角的第一发光二极管200a及第二发光二极管200b。在此，从第一发光二极管200a及第二发光二极管200b射出的光的指向角可控制为相互相同或不同。图3是示出从发光模块1000射出的光的指向角的一个示例。参照图3，第一发光二极管200a的指向角θα相比于第二发光二极管200b的指向角θβ可以较窄。通过电极可以使施加于第一发光区域21的电源的比率比施加于第二发光区域23的比率大，从而可以使第一发光二极管200a的指向角θα较窄地形成。此时，施加于第一发光区域21的电源的比率越高，第一发光二极管200a的指向角θα越窄。相反，第二发光二极管200b的指向角θβ相比于第一发光二极管200a的指向角θα较宽。通过电极可以使施加于第二发光区域23的电源的比率比施加于第一发光区域21的比率大，从而可以使第二发光二极管200b的指向角θβ较宽地形成。此时，施加于第二发光区域23的电源的比率越高，第二发光二极管200b的指向角θβ越宽。然而，图3中所公开的第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的指向角θα、θβ仅仅是为了说明而提到的一例，并不能理解为实施例的限制。第一发光二极管200a的指向角θα及第二发光二极管200b的指向角θβ可以相同，或第一发光二极管200a的指向角θα可相比于第二发光二极管200b的指向角θβ较宽。在第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的指向角θα、θβ相互不同的情况下，可以通过基础基板100而使施加至第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的电源的比相互不同。例如，可以使施加于射出的光的指向角θβ较宽的第二发光二极管200b的电源大于施加到第一发光二极管的电源。并且，根据本实施例的发光模块1000使第一发光二极管200a的波长转换层30和第二发光二极管200b的波长转换层300所包括的荧光体的组合不同，从而可实现相互不同的色温colortemperature的白光。例如，第一发光二极管200a的波长转换层30转换从第一发光二极管200a射出的光的波长从而最终可实现暖白色warmwhite系列的光。并且，第二发光二极管200b的波长转换层30转换从第二发光二极管200b射出的光的波长而最终可实现冷白色coolwhite系列的光。并且也可实现与此相反的实施例。并且，在第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的波长转换层30所包括的荧光体的组合相异的情况下，调节第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的输出而调整从发光模块100射出的光的色温。即，第一发光二极管200a的暖白色系列的光和第二发光二极管200b的冷白色系列的光可相互混合，在此情况下，使第一发光二极管200a的输出和第二发光二极管200b的输出相互不同，从而最终可调整从发光模块1000射出的光的色温。例如，在使第一发光二极管200a的输出大于第二发光二极管200b的输出情况下，从发光模块1000射出的光可具有接近于暖白色系列的色温。相反，在使第二发光二极管200b的输出大于第一发光二极管200a的输出情况下，从发光模块1000射出的光可具有接近于冷白色系列的色温根据本实施例的发光模块1000可利用于同时需要较广的指向角及较窄的指向角的装置。并且，根据本实施例的发光模块1000可利用于需要具有相互不同色温的光的装置。图4是示出了包括本发明的发光模块1000的设备的一例。图4中所公开的设备为包括广角相机2000a、窄角相机2000b及发光模块1000的移动设备。此时，发光模块1000可以是之前的图1至图3中所公开的发光模块1000，并且可利用于广角相机2000a及窄角相机2000b的闪光灯。即，发光模块1000所包括的第一发光二极管200a可通过调高施加于第一发光区域21的电源的比率而射出较窄的指向角θα的光。据此，第一发光二极管200a可利用为窄角相机2000a的闪光灯。并且，发光模块1000所包括的第二发光二极管200b可通过调高施加于第二发光区域23的电源的比率而射出较宽的指向角θβ的光。据此，第一发光二极管200a可利用为窄角相机2000a的闪光灯。并且，通过基础基板100的电极图案可使施加于连接的第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的电源的比率不同。例如，如在上文中提到，在第二发光二极管200b的指向角θβ比第一发光二极管200a的指向角θα宽的情况下，可使施加于第二发光二极管200b的电源大于施加于第二发光二极管200a的电源。图5是示出了根据本发明的另一实施例的发光二极管。图5a是根据本实施例的发光二极管的立体图，突5b是沿图5a的截取线C-C'截取的剖面图。图5中所公开的发光二极管的大部分构成与图3中所公开的发光二极管相同，只有在波长转换层30的形状上存在些许差异。图5的发光二极管可以为图1的发光模块1000所包括的第一发光二极管200a及第二发光二极管200b。以下以区别点为中心进行说明。参照图5，对应于发光结构物20包括两个发光区域的情形，波长转换层30可包括两个区域。即，波长转换层30可包括对应于第一发光区域21的第一波长转换层31及对应于第二发光区域23的第二波长转换层33。从而，类似于发光区域的结构，波长转换层30可具有如下结构：第一波长转换层31位于中心部分，且第二波长转换层33围绕第一波长转换层30。并且，波长转换层30还可包括位于第一波长转换层31及第二波长转换层33之间的阻隔层32。阻隔层32用于促进光的扩散，阻隔层32可促进从第一波长转换层31及第二波长转换层33发出的相互不同波长的光的混合。借由阻隔层32可最小化在第一波长转换层31及第二波长转换层33的界线处急剧地发生色偏差或光转换。阻隔层32在用于促进光扩散的目的范围内并不局限于其材料。阻隔层32可布置于所述发光结构物20所包括的分离槽22上。波长转换层30可利用丝网印刷方式等制作成为一片。例如，准备有第一波长转换层31片，并且为了定义用于第二波长转换层33的区域而可以去除第一波长转换层31片的一部分。并且，第二波长转换层33形成于第一波长转换层31片的一部分被去除的区域，从而制作单一的波长转换层30片。或者，与其相反，准备第二波长转换层33片，并且为了定义用于第一波长转换层31的区域而可以去除第二波长转换层33片的一部分。并且，第一波长转换层31形成于第二波长转换层33片的一部分被去除的区域，从而制作单一的波长转换层30片。第一波长转换层31包括第一荧光体，第二波长转换层33可包括第二荧光体，第一荧光体和第二荧光体可相互不同。例如，第一波长转换层31所包括的第一荧光体将从第一发光区域21发出的光的波长转换，从而最终可实现具有2700K至3500K的色温的暖白色warmwhite系列的白光。并且，第二波长转换层33所包括的第二荧光体将从第二发光区域23发出的光的波长转换，从而最终可实现具有5000K至6500K的色温的冷白色coolwhite系列的白光。并且，也可实现与此相反的实施例。即，第一波长转换层31所包括的第一荧光体将从第一发光区域21发出的光的波长转换，从而最终可实现具有5000K至6500K的色温的冷白色系列的白光。并且，第二波长转换层33所包括的第二荧光体将从第二发光区域23发出的光的波长转换，从而最终可实现具有2700K至3500K的色温的暖白色系列的白光。如在上文中提到，第一发光区域21及第二发光区域23可独立运行，据此可输出相互不同的输出。例如，在第一发光区域21的光与第一波长转换层31组合而实现暖白色系列的光，第二发光区域23的光与第二波长转换层33组合而实现冷白色系列的光的情况下或者与此相反的情况，调整第一发光区域21和第二发光区域23的输入电压和或电流的值而调整由发光二极管体现的光的色温或相关色温correlatedcolortemperature：CCT。例如，在第一发光区域21与第一波长转换层31组合而实现暖白色系列的光，第二发光区域23与第二波长转换层33组合而实现冷白色系列的光的情况下，在对第一发光区域21施加外部电源，并且对第二发光区域23并未施加外部电源时，由发光二极管实现的白色光可具有2700K至3500K的色温。相反，在对第二发光区域23施加外部电源，并且对第一发光区域21并未施加外部电源的情况下，由发光二极管实现的白色光可具有5000K至6500K的色温。或者，在对于第一发光区域21及第二发光区域23全部施加外部电源的情况下，在发光二极管实现的光可具有相当于暖白色和冷白色的中间区间的色温。基于第二发光区域23围绕第一发光区域21的结构，可有效地实现两种光的色混合。光扩散层50可混合色温相异的光。例如，光扩散层50可混合第一发光区域21与第一波长转换层31组合而实现的暖白色系列的光和第二发光区域23与第二波长转换层33组合而实现的冷白色系列的光。在此，根据光扩散层50的浓度可调整颜色混合的程度。即，在光扩散层50的浓度较深的情况下，暖白色系列的光和冷白色系列的光的混合程度可以较高，相反在光扩散层50的浓度较浅的情况下，暖白色系列的光和冷白色系列的光的混合程度可以较低。根据本发明的另一实施例的发光模块1000包括第一发光二极管200a及第二发光二极管200b，并且第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可包括图5中所公开的发光二极管。据此，发光模块1000与上文中提到的图1的发光模块相同地，可同时支持较窄的指向角及较宽的指向角。并且，根据目的可实现指向角的控制变化。并且，除此之外，发光模块1000可控制色温。即，如在上文中提到，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可分别控制施加于第一发光区域21及第二发光区域23的电源的比而控制色温。例如，发光模块1000可通过第一发光二极管200a而实现暖白色系列的光，并可通过第二发光二极管200b而实现冷白色系列的光。或者也可实现与此相反的实施例。并且，发光模块可同时控制第一发光二极管200a及第二发光二极管200b的指向角及色温。例如，第一发光二极管200a可以调高施加于第一发光区域21的电源的比率而使指向角变窄，并且第一发光二极管200a在具有较窄的指向角的同时可以实现特定色温。此时，随着第一波长转换层31所包括的第一荧光体的种类，可以决定在第一发光二极管200a实现的光的色温。作为另一例，第二发光二极管200b可以调高施加于第二发光区域23的电源的比而使指向角变宽，并且第二发光二极管200b在具有较宽的指向角的同时可以实现特定色温。此时，随着第二波长转换层33所包括的第二荧光体的种类，可以决定在第二发光二极管200b所实现的光的色温。图6示出了根据一实施例的发光模块的制造方法。具体地，6a至图6e与发光二极管的制造方法相关，图6f至图6g与包括所述发光二极管的发光模块的制造方法相关。在本实施例中，发光模块所包括的发光二极管表示图5中所公开的发光二极管。然而，即使在发光模块包括图2的发光二极管的情况下，其制造方法也不会相差太大，只是在波长转换层形成方法上具有一部分差异。参照图6a，首先会准备基板10上形成有发光结构物20的两个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片可利用同一个基板10而一同制造，或者可以在相互不同的基板上制造。发光结构物20可包括多个发光区域。发光结构物20可包括第一发光区域21和围绕第一发光区域21的第二发光区域23。第一发光区域21和第二发光区域23可相隔地位于基板上。分离槽22可位于第一发光区域21及第二发光区域23之间。分离槽22可将发光结构物20的上表面，即通过第二导电型半导体层及活性层的第一导电型半导体层的一部分暴露。或者，分离槽22可通过第二导电型半导体层、活性层及第一导电型半导体层而暴露基板10的一部分。然而，第一发光区域21及第二发光区域23的形状并不局限于图6公开的形状。即，第一发光区域21及第二发光区域23的形状可随本发明的目的而在第一发光区域21及第二发光区域23共享中心的范围内多样地变形。参照图6b，两个发光二极管芯片中每一个的基板10上可形成有第一波长转换层31。此时，基板10为透明基板，并且从发光结构物20发射的光经过基板发射至外部。然而，在另一实施例中，基板10位于发光结构物的20下部，且第一波长转换层31可位于发光结构物20上。并且基板10也可以被省略。第一波长转换层31可将基板10置于中间而位于发光结构物20的第一发光区域21上。第一波长转换层31可包括荧光体组合未图示，据此，可转换从第一发光区域21射出的光的波长。并且，两个发光二极管芯片的第一波长转换层31相同，或可包括不同的荧光体组合。参照图6c，两个发光二极管芯片中的每一个可形成围绕第一波长转换层31的第二波长转换层33。第二波长转换层33可对应于结构物20的第二发光区域23。第二波长转换层33可以包括与第一波长转换层31相同或不同的荧光体组合。并且，两个发光二极管芯片的第二波长转换层33可包括相同或不同的荧光体组合。并且，第一波长转换层31和第二波长转换层33之间还可形成有阻隔层32。阻隔层32作为用于促进光的扩散的层，可促进从第一波长转换层31及第二波长转换层33辐射的相互不同波长的光的混合。第一波长转换层31的形状及宽度可以与第一发光区域21的形状及尺寸形同或类似，第二波长转换层33的形状及宽度可以与第二发光区域23的形状及尺寸形同或类似。波长转换层30可以制作成一个片，此波长转换层30片可通过印刷printing工序而形成，波长转换层30可直接形成于发光结构物20上，或可在外部制造后贴附于发光结构物20上。然而，在波长转换层30在第一波长转换层31及第二波长转换层33包括相同的荧光体组合的情况下并且不包括阻隔层的情况下，图6b及图6c的工序可以整合成单一工序。参照图6d，在两个发光二极管芯片中的每一个分别可形成覆盖发光结构物20的侧面的侧面反射层40。侧面反射层40不仅覆盖发光结构物20的侧面，还可覆盖将发光结构物20的上表面覆盖的波长转换层30的侧面。侧面反射层40可包括树脂材质的白壁。或者侧面反射层40可包括反射度较高的如Al或Ag的金属反射层。侧面反射层40可以将从发光结构物20的侧面发射的光阻隔及反射而限制发光二极管的指向角。参照图6e，在两个发光二极管芯片中的每一个分别可形成覆盖波长转换层30的上表面的光扩散层50。光扩散层50不仅覆盖波长转换层30的上表面，而且还可沿水平方向延伸，从而还覆盖侧面反射层40的上表面。光扩散层50可混合色温相异的两种光。其结果为，通过图6a至图6e的工序可制造两个发光二极管200a、200b。参照图6f，准备基础基板100，所述第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可贴装于所述基础基板100上。此时，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可以以预定距离相隔。尽管基础基板100未在图6f中所图示，但是其可包括电极图案。贴装于基础基板100第一发光二极管200a及第二发光二极200b可连接于所述电极图案，据此可从外部施加电源。并且，第一发光二极管200a及第二发光二极管200b可各自驱动，以发出具有相互不同指向角的光，并且可发出具有相互不同色温的光。参照图6g，所述基础基板100上可形成有壳体300。并且，所述发光二极管200a、200b上可形成透镜400。此时，透镜400可固定于所述壳体300的侧壁。壳体300可包括用于定义贴装发光二极管200a、200b的区域的腔室C。腔室C可布置于发光模块1000的中央。腔室C被侧壁围绕。侧壁可以以基础基板100为基准垂直地形成。或者，侧壁为了反射从发光二极管200a、200b发出的光而可以具有倾斜面。并且，腔室C可具有旋转对称的形状，尤其可具有圆形形状。在此，旋转对称不仅意为着旋转体，还包括当以60°、90°、130°或180°等预定角度旋转时维持相同形状的情形。只不过腔室C的形状并不局限于圆形，根据需要可具有多种形状。透镜400可包括两个焦点。两个焦点分别可位于第一发光二极管200a及第二发光二极管200b上。即，第一发光二极管200a的光轴L1及第二发光二极管200b的光轴L2可以与透镜400所包括的两个焦点分别一致。

权利要求：1.一种发光模块，包括：基础基板；第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及第二发光二极管，位于所述基础基板上，并与所述第一发光二极管相隔，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域及第二发光区域，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域。2.如权利要求1所述的发光模块，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管相互独立地驱动。3.如权利要求2所述的发光模块，其中，所述基础基板包括电极图案，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别连接于所述电极图案。4.如权利要求2所述的发光模块，其中，所述第一发光区域及第二发光区域分别包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，并相互独立地驱动。5.如权利要求4所述的发光模块，其中，所述第一发光区域及第二发光区域共享同一个中心。6.如权利要求4所述的发光模块，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别通过控制施加于第一发光区域及第二发光区域的电源的比率而控制射出的光的指向角。7.如权利要求6所述的发光模块，其中，从所述第一发光二极管射出的光的指向角和从所述第二发光二极管射出的光的指向角相互不同。8.如权利要求6所述的发光模块，其中，从所述第一发光二极管射出的光的指向角和从所述第二发光二极管射出的光的指向角相同。9.如权利要求4所述的发光模块，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别还包括覆盖第一发光区域及第二发光区域的波长转换层。10.如权利要求9所述的发光模块，其中，所述波长转换层在所述第一发光区域及第二发光区域中包括相同的荧光体。11.如权利要求9所述的发光二极管，其中，所述波长转换层包括：第一波长转换层，包括对应于所述第一发光区域的第一荧光体；以及第二波长转换层，包括对应于所述第二发光区域的第二荧光体。12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，所述波长转换层还包括位于所述第一波长转换层及第二波长转换层之间的阻隔层。13.如权利要求11所述的发光模块，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别通过控制施加于第一发光区域及第二发光区域的电源的比率而控制射出的光的色温。14.如权利要求11所述的发光模块，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别通过控制施加于第一发光区域及第二发光区域的电源的比率而将射出的光的色温及指向角同时控制。15.如权利要求13所述的发光模块，其中，从所述第一发光二极管射出的光的色温和从第二发光二极管射出的光的色温相互不同。16.如权利要求13所述的发光模块，其中，从所述第一发光二极管射出的光的色温和从第二发光二极管射出的光的色温相同。17.如权利要求1所述的发光模块，还包括：覆盖所述第二发光区域的侧面的侧面反射层。18.如权利要求1所述的发光模块，还包括：位于所述第一发光二极管及第二发光二极管上的透镜。19.如权利要求18所述的发光模块，其中，所述透镜包括两个焦点，并且所述两个焦点分别对应于第一发光二极管及第二发光二极管的光轴。20.如权利要求18所述的发光元件，还包括：壳体，位于所述基础基板上，并包括腔室，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管位于所述腔室内。

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