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申请/专利权人：无锡商甲半导体有限公司

摘要：本实用新型提供一种降低制造成本的高可靠性半导体器件，所述器件包括：第一导电类型硅衬底，在硅衬底上设有第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层中设有单胞沟槽、分压沟槽和截止沟槽；单胞沟槽位于器件的有源区，分压沟槽和截止沟槽位于器件的终端保护区；分压沟槽环绕所有单胞沟槽设置，截止沟槽环绕分压沟槽设置；在单胞沟槽内壁设有栅极氧化层，单胞沟槽中填充有栅极多晶硅；在分压沟槽内壁设有场氧化层；场氧化层的厚度大于栅极氧化层的厚度；所述场氧化层填充满分压沟槽；或者所述场氧化层未填充满分压沟槽，分压沟槽中还填充有场板多晶硅；本申请既能够提高MOSFET功率半导体器件的耐压水平，又能够降低制造成本。

主权项：1.一种降低制造成本的高可靠性半导体器件，包括：第一导电类型硅衬底1，在硅衬底1上设有第一导电类型外延层2；第一导电类型外延层2背离硅衬底1的表面为第一主面，硅衬底1背离第一导电类型外延层2的表面为第二主面；其特征在于，在第一导电类型外延层2中设有单胞沟槽41、分压沟槽42和截止沟槽43；其中，单胞沟槽41位于器件的有源区，分压沟槽42和截止沟槽43位于器件的终端保护区；所述分压沟槽42环绕所有单胞沟槽41设置，所述截止沟槽43环绕分压沟槽42设置；在有源区与终端保护区之间设有与单胞沟槽41相连通的栅极引出沟槽；在单胞沟槽41和栅极引出沟槽内壁设有栅极氧化层6，单胞沟槽41和栅极引出沟槽中填充有栅极多晶硅71；各单胞沟槽41中的栅极多晶硅71与栅极引出沟槽中的栅极多晶硅相连接；在分压沟槽42内壁设有场氧化层5；场氧化层5的厚度大于栅极氧化层6的厚度；所述场氧化层5填充满分压沟槽42；在截止沟槽43内壁设有场氧化层5，截止沟槽43内壁的场氧化层5上还设有栅极氧化层6，截止沟槽43中填充有场板多晶硅72；在有源区，单胞沟槽41两侧的第一导电类型外延层2顶部形成自下而上分布的第二导电类型注入层8和第一导电类型注入层9；在终端保护区，分压沟槽42两侧以及截止沟槽43靠近单胞沟槽41内侧的第一导电类型外延层2顶部形成第二导电类型注入层8；在终端保护区，截止沟槽43背离单胞沟槽41的外侧边缘区域的第一导电类型外延层2顶部形成自下而上分布的第二导电类型注入层8和第一导电类型注入层9；在有源区内第一主面上设有栅极氧化层6；在终端保护区内第一主面上设有场氧化层5，且截止沟槽43背离单胞沟槽41的外侧边缘区域的场氧化层5被去除并设有栅极氧化层6；终端保护区内场氧化层5上设有栅极氧化层6；第一主面的栅极氧化层6之上设有绝缘介质层10；在第一主面的绝缘介质层10上设有源极金属、栅极金属和截止环金属；源极金属通过源极接触孔111连接单胞沟槽41两侧的第一导电类型注入层9和第二导电类型注入层8；源极接触孔111贯穿有源区中单胞沟槽41两侧的第一导电类型注入层9并伸入第二导电类型注入层8；栅极金属通过栅极接触孔连接栅极引出沟槽中的栅极多晶硅；截止环金属通过截止环第一接触孔112连接截止沟槽43中的场板多晶硅72，通过截止环第二接触孔113连接截止沟槽43背离单胞沟槽41的外侧边缘区域中的第一导电类型注入层9和第二导电类型注入层8；截止环第二接触孔113贯穿截止沟槽43背离单胞沟槽41的外侧边缘区域中的第一导电类型注入层9并伸入第二导电类型注入层8；第二主面设有漏极金属。

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